igbt スイッチ

15V 10000A水はigbtの切換えモード電気分解の整流器を冷却しました 15V 10000Aの水によって冷却されるigbtの切換えモード電気分解の整流器は電気めっきに使用されます。SCRの整流器によってcompareed軽量および小型。ボルトおよび流れを変えるたった1つの調整装置があります。顧......

UHCT0600A 工業級保護 高電流探査機 0.6kA ピーク適応 IGBT スイッチ解析 1高電流測定:ピーク電流0.6kA,電力および工業用高電流シナリオのために設計されています. 2高周波応答50MHz:半導体装置のスイッチ損失分析をサポートする. 3.高ダイ/dt能力 40A/ns:.........

1.Output電圧:3.3V、5V、12Vおよび調節可能版を出力した•調節可能な版出力電圧範囲、37V+4%への1.23V•150Khz +15%は転換の頻度を固定した•電圧モード非同期的なPWM制御•熱操業停止および現在限界の保護•オン/オフ操業停止の操作量•作動の電圧は40V.........

内部的に締め金で止められるMGP20N40CL SMARTDISCRETES NチャネルIGBTの切換え力mosfetの低い電力mosfet この論理のレベルはゲートの両極トランジスター(IGBT)の特徴のゲート エミッターESDの保護、イグニション・コイルの運転者として使用法のためのSMA.........

FZ1600R12HP4 オートモーティブ IGBT モジュール IHM-B モジュール 1200V シングルスイッチ IGBT モジュール 製品説明 FZ1600R12HP4 FZ1600R12HP4は1200V,1600A IHM Bシングルスイッチ IGBTモジュールで,ソフトスイッチTr........

FGA25N120ANTD力の切換えIGBT 1200V 40A 310W TO3Pの高速切換え 記述 NPTの技術を用いて、IGBTsはのフェアチャイルドそして一連低い伝導および転換の損失を提供する。 そしてシリーズ誘導加熱（IH）のような適用のための解決を、一般的な運動制御提供する 目的.........

SEMIX341D16S 1600V 450A IGBT ハーフブリッジモジュール 低 Vce(sat) 高速スイッチング ソフトリカバリダイオード 高温 175°C 低損失 UPS およびソーラーインバータ用工業用グレード 特徴 1600V / 450A.........

IRG 4紀元前に30KDPBF 1200V 4 IGBT力モジュールの高速転換の高性能および信頼性 IRG4BC30KDPBFからのこのIGBT力モジュールは強力な転換の適用の使用のために設計されている。それは600Vの高い絶縁破壊電圧および30Aの高い現在の評価を特色にする。.........

高い使用率IGBTインバーター溶接工アーク630A ODM OEMサービス あなたのロゴの高い使用率IGBTインバーター溶接工Arc630はOEMサービスを受け入れる IGBTインバーター溶接工の特徴: 1. 自動適応性がある力、小さいはね、安定したアークおよびよい形成である。.........

IXGH40N60C2D1 # 75A 600V 300WDIP TO-247 についてダイオード付きのHiPer FASTTM IGBTモスフェット IGBT C2級 高速IGBT 特徴 非常に高周波のIGBT 平方RBSOA 高電流処理能力 申請 断続電源 (UPS) スイ.........

CM400C1Y-24S 203G IGBT モジュール Sシリーズ AC スイッチ IGBT モジュール 製造者: 三?? 電機 製品カテゴリー: IGBT モジュール RoHS について 詳細 ブランド: 三?? 電機 製品タイプ: IGBT モジュール サブカテゴ.........

G40N60UFDダイオード600V 40A 160W、TO-3Pで造られるを用いる超高速IGBTのトランジスターNチャネル 記述: フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター(IGBTs)は低い伝導および切換えの損失を提供します。UFDシリーズは運動制御.........

穴TO-247-3を通したWG50N65DHWQ IGBTの堀の視野絞り650 V 91 A 278 WWeEnの半導体WG50N65DHWQ IGBTWeEnの半導体WG50N65DHWQ IGBTはTO247パッケージのanti-parallelダイオードとの高速650V/50A IGBTで........

1パッケージの2MBI100SC-120 IGBT力モジュール1200V/100A 2 2MBI100SC 120 IGBT力モジュールの1200V/100A高速切換えの電圧ドライブ 1200V / 1パッケージの100A 2 特徴 ·高速切換え ·電圧ドライブ ·低いインダクタンス モジュール構造 ......

新しいモジュールCM400DY-12H IGBTモジュール元の力のIgbtモジュール CM100TU-24Hの高い発電の切換えの使用によって絶縁されるタイプ三菱電機の半導体三菱電機の半導体QM7E2Y-Hの高い発電の切換えの使用によって絶縁されるタイプ三菱電機の半導体CM1000HA-24H.........

橋整流器IGBTスイッチ揺れ止めのコンデンサーのためのC31 2UF 700VDCの揺れ止めのコンデンサー 技術的な変数 参照標準 IEC61071 .GB/T17702 実用温度範囲 -40℃~+85℃ （最高。+105℃）.........

3.6Vアナログ スイッチへのTS3A24157RSER IGBT力モジュール1.65V IC TS3A24157RSERのシルク スクリーンJZOパッチUQFN-10アナログ スイッチIC真新しい元のアナログ スイッチIC 0.65OはSPDTアナ二倍になる.........

強力なIGBTモジュールFP150R07N3E4_B11のあなたの電子工学のプロジェクトを後押ししなさい FP150R07N3E4_B11はあなたの電子工学のプロジェクトを後押しするために完全の強力なIGBTモジュールである。150Aおよび650Vの強力な出力を使うと、このIGBTモジュール.........