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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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WG50N65DHWQ IGBTのトランジスターモジュール、視野絞りの堀IGBT 650V 91A 278W

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型式番号 :WG50N65DHWQ

最低順序量 :50pcs

供給の能力 :1000000個

電圧 - コレクタエミッタ内訳 (最大) :650V

電流 - コレクター (Ic) (最大) :91 A

現在-脈打つコレクター（Icm） :200A

Vce （）（最高） @ Vge、IC :2V @ 15V、50A

パワー - 最大 :278 W

転換エネルギー :1.7mJ （）、600µJ （）

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穴TO-247-3を通したWG50N65DHWQ IGBTの堀の視野絞り650 V 91 A 278 W

WeEnの半導体WG50N65DHWQ IGBT

WeEnの半導体WG50N65DHWQ IGBTはTO247パッケージのanti-parallelダイオードとの高速650V/50A IGBTである。このIGBTは低い切換えの損失との高速を提供し、特徴は電圧オーバーシュートを避け、システムEMIを減らす転換の行動を滑らかにする。WG50N65DHWQ IGBTの特徴はゲート分野停止技術を堀で囲み、低い熱抵抗を提供する。このIGBTはハロゲンなしのパッケージ入って来、Pbなしの鉛の終わりを特色にし、そして迎合的なRoHSである。典型的な適用は力率訂正、溶接のコンバーター、太陽インバーターを含んでいる。産業インバーターおよびUPS。

特徴

低い転換の損失と高速
速く、柔らかい回復anti-parallelダイオード
肯定的なVセリウム（坐った）温度係数
速く、柔らかい回復anti-parallelダイオード
JEDECに従って修飾し、UL94V0燃焼性の条件を満たす
滑らかな転換の行動は電圧オーバーシュートを避け、システムEMIを減らす

ハロゲンなしのパッケージおよびPbなしの鉛の終わり
迎合的なRoHS
低い熱抵抗
低いVセリウム（坐った）そして低い転換の損失
堀のゲート分野停止技術

指定

150°C作動の接合部温度の範囲への-55°C
650V Collector-Emitter電圧Vセリウム
50A DCのコレクター流れIC

適用

力率訂正
溶接のコンバーター
太陽インバーター

産業インバーター
UPS

機械デッサン

WG50N65DHWQ IGBTのトランジスターモジュール、視野絞りの堀IGBT 650V 91A 278W

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