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1パッケージの2MBI100SC-120 IGBT力モジュール1200V/100A 2
2MBI100SC 120 IGBT力モジュールの1200V/100A高速切換えの電圧ドライブ
| 記述 | 1. IGBTは単一形態の力MOSFETおよびBJT装置の機能統合です |
| 2. IGBTは最適装置特徴を達成するために両方の最もよい属性を結合します。各モジュールは逆接続された超高速の回復を持っている各トランジスターとの半橋構成のIGBTsがダイオードを惰性で動かす2から成っています。 | |
| 3. すべてのcomponentsandは簡単システム アセンブリを提供する熱沈降のベースプレートから隔離されます相互に連結します。 | |
| 特徴 | 1）。正方形RBSOA |
| 2）。低い飽和電圧 | |
| 3）。過電流制限機能（~3回は流れを評価しました） | |
| 4）。IGBTは3ターミナル力の半導体デバイスです | |
| 5）。高周波操作 | |
| 適用 | 1）。ACはインバーターを運転します |
| 2）。サーボ機構 | |
| 3）。UPS、無停電電源装置 | |
| 4）。溶接の電源 |
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