igbt and mosfet

DuaチャネルIGBTの運転者SCALETM-2+IGBTおよびMOSFETの運転者の中心 Q1. パッキングのあなたの言葉は何ですか。 A:通常、私達は中立ホワイト ボックスおよび茶色のカートンの私達の商品を詰めます。法的にパテントを登録したら、私達はあなたの承認の手紙.........

自動車用IGBTモジュール FS33MR12W1M1HB70 一般用途5.35V 25A IGBT電源モジュール [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%.........

プロダクト細部 1. 標準的な、順序の商品か製造の歓迎。2. サンプル順序。3. 私達は24時間以内にあなたの照会のための答える。4. 発送の後で、私達は2日毎にプロダクトを得るまで、あなたのためのプロダクトを一度追跡する。5. 商品を得たときに、テストはそれら、私にフィードバック.........

シェンzhen Qingfengyuan Technology Co., Ltd.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,あなたの多様な要求に応える幅広い電子部品を提供することです.献げている: 半導体マイクロコントローラートランジスタダイオード.......

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者ですP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 Nチャネルを運転するのに使用することがで.........

IR2110PBF力MOSFETおよびIGBTの運転者ICは半橋ゲートの運転者IC 14-DIPを欠きます 記述 IR2110/IR2113は独立した高低の側面の参照された出力チャネルが付いている高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者です。専有HVICおよび掛け金免疫CMOS.........

AC DC MUTTAHIDA MAJLIS-E-AMAL IGBT Mosfetの溶接機280Aの新しい状態 MUTTAHIDA MAJLIS-E-AMALの溶接機は溶接の分野で多くの利点がある新しい世代の溶接機である。専門およびアマチュア溶接工の必要性を満たすことを設計する。 1. 高度IGBT......

製品範囲 IGBT CoolMOSの分離した半導体SPW35N60C3 MOSFET N CH 650V 34.6A TO247-3 Appの特徴 新しい革命的な高圧技術 超低いゲート充満 周期的ななだれは評価した 極度なdv /dtは評価した 超低く有効なキャパ.........

IXGH40N60C2D1 # 75A 600V 300WDIP TO-247 についてダイオード付きのHiPer FASTTM IGBTモスフェット IGBT C2級 高速IGBT 特徴 非常に高周波のIGBT 平方RBSOA 高電流処理能力 申請 断続電源 (UPS) スイ.........

1200V 75A PIM 電界効果トランジスタ 力モジュール IC 7MBR75UB120-50 IGBT モジュールの運転者 7MBR75UB120-50 IGBT モジュール（U シリーズ） 1200V/75A/PIM 特徴 。 低い VCE （坐.........

ブラシレスモーターとリチウム電池管理のためのSiCモスフェットを持つインバーターIGBT 特徴 • 陽性温度係数 • 速やかに 切り替える 低VCE (静止) • 信頼 さ れ て 頑丈 な もの トレンチとフィールドストップ技術 • コレクターからエミッターへの低飽和電圧 • 高速切.........

つながれたMOSFETおよびIGBTのゲートのためのFA2659-ALのゲート ドライブ変圧器ドライブ回路 製品の説明: 変圧器によってつながれるMOSFETおよびIGBTのゲートのために設計されているドライブ変圧器をドライブ回路ゲートで制御して下さい 特徴: 変圧器のために設計されてい......

JY21L P-SUB P-EPIプロセスに基づく高低の側面の運転者、高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者。 概説プロダクトは基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者であるP-SUB P-EPIプロセス。浮遊チャネルの運転者が2 N-channelを運転するのに使用す.........

プロダクト リスト:IR2104STRPBF 製品タイプ:半導体ICの破片 パッケージのタイプ:STRPBF 記述:IR2104STRPBFは高圧の、高速力MOSFETであり、独立した高低の側面が付いているIGBTの運転者は出力チャネルを参照した。参照したN-c.........

NCS20074DTBR2G - パワーMOSFETおよびIGBT用の高速デュアルMOSFETドライバ ここのstock.xlsxで情報を見つけてください 序章： NCS20074DTBR2G は、ハーフブリッジ構成で 2 つの N チャネル MOSFET または IGBT を.........

IXFK27N80Q NチャネルMosfet 800V 27A 0.32 Rds力のMOSFETs HiPerFET 記述 HiPerFETTM力のMOSFETs Q-CLASS 単一MOSFETは死ぬ N-Channelの強化モードなだれは、低いQg、高いdV/dtの低いtrr評価した.........

IPB044N15N5 IGBT力モジュール3.4Mのチャネル オームの抵抗N IPB044N15N5ATMA1 044N15N5 IPB044N15N5 044N15パッチMOSの管150V174A MOSFETの堀>=100VパッチMOSの管 製品特質.........

KMP15H12X4-7M 厳しい環境と高温のための頑丈なIGBTモジュール 製品説明: IGBTモジュールは,隔離ゲート双極トランジスタ (IGBT) ユニットファミリーに属する最先端の電子部品です.隔離ゲート双極トランジスタモジュールまたは隔離ゲートトランジスタパックとしても知られています.........

IXBT14N300HV IGBT 3000 V 38 A 200 Wの表面の台紙TO-268HV （IXBT）IXYS IXBx14N300HV逆の行なうBiMOSFET™ IGBTsIXYS IXBx14N300HV逆の行なうBiMOSFET™ IGBTsはMOSFETsおよびIGBTsの強........