パワートランジスタをテストする方法

-30V/-50A Npn力トランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者回路 Npn力トランジスター塗布 DCコンバーターへのDC 低電圧モーター コントローラー これらはの200Vよりより少し低電圧スイッチで広く利用されています Npn力トランジスター記述.........

HMC544AE RF力トランジスター 特徴: - 高出力力:典型的な28 dBm - 高利得:典型的な14 dB - 低雑音図:典型的な2 dB - 優秀な直線性 - 広い帯域幅:600のMHz - 迎合的なRoHS パッケージ:表面の台紙、4鉛SOT-363.........

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ULN2003APWR高圧HIGH-CURRENTダーリントンのトランジスター配列テスト力トランジスター か。►500 mA評価されるコレクター流れ（単一の出力）か。 ►高圧出力… 50ボルトか。 ►出力クランプ ダイオードか。 ►さまざまなタイプの論理と互換性がある入力か。 ►.........

補足のケイ素力トランジスター 電界効果トランジスタ 半導体 MJ15025G PNP の− MJ15023、MJ15025* ケイ素力トランジスター MJ15023 および MJ15025 は高い発電の音声、ディスク ヘッド ポジシァヨナーおよび他の線形適用の.........

IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスターNチャネルMOSFET 40V 60V OptiMOS T2のパワー トランジスター 特徴 •二重N-channelの論理のレベル-強化モード •AEC Q101は修飾した •260°Cピークの退潮までのMSL1 •175.........

N型スーパージャンクション MOSFET パワートランジスタ SMPS用 製品説明: このスーパージャンクションMOSFETの特徴の一つは 100%の雪崩テストです このテストは装置が高エネルギートランジエントに耐えるようにします時折の電源突発やピークを経験するアプリケーションに優れた選択になり........

プロダクト細部 1. 標準的な、順序の商品か製造の歓迎。2. サンプル順序。3. 私達は24時間以内にあなたの照会のための答える。4. 発送の後で、私達は2日毎にプロダクトを得るまで、あなたのためのプロダクトを一度追跡する。5. 商品を得たときに、テストはそれら、私達にフィー.........

IRG7PH42UDPBF IGBT パワーモジュール トランジスタ IGBT シングル IRG7PH42UDPBFの仕様 部品のステータス アクティブ IGBTの種類 溝 電圧 - コレクタ エミッタ ブレイクダウン (最大).........

MRF151G RF力の分野効果のトランジスター500W、50Vの175MHz NチャネルBLF278のための広帯域MOSFETの取り替え 特徴 1の175のMHz、50ボルトの保証された性能 2、出力電力— 300 W•利益— 14 dB （16 dB Typ） 3の効率— 50%•低い熱抵抗— ......

手持ちのデジタルマルチメーター 2000数値トランジスタ二極電極検査機 英語のユーザーマニュアル:https://drive.google.com/open?id=1OUUi5HZHwZPLue1-68aboi05c-2hU8Y3 ハンドヘルド デジタル マルチメーター の 特徴 .........

NTTFS3A08PZTAGのトランジスターFETsのMOSFETs単一P-CH 20V 9A 8WDFNのP-Channel 製品の説明: 1. -20V、- 15A、6.7 Mω、P-channel力MOSFET 2. P-channel 20V 9A （Ta）の840mW （Ta）.........

2SC5171東芝のトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル タイプ電力増幅器の塗布 特徴 •高い転移の頻度:fT = 200のMHz （タイプ。） •2SA1930に補足 電気特徴（Tc = 25°C）.........

FDPF10N60NZ NPN PNPのトランジスターNチャネル600V 10A （穴TO-220Fを通したTc） 38W （Tc） NチャネルMOSFET 600V、10A、0.75  特徴 •RDS （） = 0.64の（Typ。） @ VGS = 10V、ID = 5A •低いゲート充満......

環境試験装置の蒸気の老化テスト部屋 適用: この機械は電子コネクター、半導体IC、トランジスター、ダイオード、LCD LCD、老化する加速された生命時間テストの前の破片の抵抗キャパシタンスおよび部品の企業の電子部品のメタル ピンのぬれる耐性検査で使用される。 特徴: 1多過熱.........

BZT52C3V3LP-7ダイオードプロダクト技術仕様 EU RoHS 迎合的 ECCN （米国） EAR99 部分の状態 活動的 自動車 いいえ PPAP いいえ......

SOT-323 高周波低騒音トランジスタ (PNP) 特徴 - コレクター電流 (IC=1.5A) - SS8550Wの補完として - コレクター消耗:PC=200mW (TC=25°C) 応用 - 高電流のコレクター 注文情報 タイプ番号:SS8050W 標識.........

パワー増幅器 100W出力 SZHUASHI 5GHz-6GHz 12.3dB 無線通信インフラストラクチャとEMCテスト用 製品説明 YP506012100Tは,高効率,高加益,広い帯域幅を備えた特異的に設計された100ワット,内部にマッチされたガリウムナイトリド (GaN) 高電子移動ト.........