SOT-323 SS8050W NPN シリコンエピタキシャル平面トランジスタ

モデル番号:SS8050W
産地:唐原 中国
最低注文量:1000PCS
支払条件:T/T、ウェスタンユニオン
供給能力:5000個
配達時間:3weeks
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Dongguan Guangdong China
住所: 部屋810の単位2の建物5のHuixingの商業中心、Dongshengの道No.1、チョンシャン東、Shilongの町トンコワン、広東省、523326 CN
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製品詳細 会社概要
製品詳細

SOT-323 高周波低騒音トランジスタ (PNP)

 

特徴
 
- コレクター電流 (IC=1.5A)
- SS8550Wの補完として
- コレクター消耗:PC=200mW (TC=25°C)
 
 
応用
 
- 高電流のコレクター
 
 
注文情報
 
タイプ番号:SS8050W
標識:Y1
パッケージコード:SOT-323
 

電気特性 @ Ta=25 °C 異なることが指定されていない限り

 

パラメータシンボル試験条件ミニタイプマックスユニット
コレクターベース断熱電圧V(BR)CBO についてIC=100μA,IE=040  V
コレクター・エミッター断熱電圧V(BR)CEOIC=2mA,IB=025  V
エミッター・ベース断熱電圧V (BR) EBOIE=-100μA,IC=05  V
コレクターの切断電流ICBOVCB=40V,IE=0  0.1μA
コレクターの切断電流ICEOVCE=20V,IB=0  0.1μA
エミッター切断電流IEBOVEB=5V,IC=0  0.1μA
DC電流増幅

 

hFE

VCE=1V,IC=100mA120 400 
VCE=1V,IC=800mA40   
コレクター・エミッター 飽和電圧VCE (衛星)IC=800mA,IB=80mA  0.5V
ベース・エミッター 飽和電圧VBE (sat)IC=800mA,IB=80mA  1.2V
ベース・エミッター電圧VBEVCE=1V IC=10mA  1V
移行頻度fTVCE=10V,IC=50mA f=30MHz100  メガHz

 

HFEの分類 (1)

 

ランクL についてHJ
範囲120〜200200〜350300〜400

 

 

典型的な 特徴 @=25 °Cもしくは そうでない場合 指定された

 

 

 
 
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SOT-323 SS8050W NPN シリコンエピタキシャル平面トランジスタ

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