2SC5171可聴周波電力増幅器ICのトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル タイプ200のMHz

型式番号:2SC5171
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T ・ T、西 Union,PAYPAL
供給の能力:100000pcs
受渡し時間:1 - 3日
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Shenzhen Guangdong China
住所: 部屋1120の床11rdのアジア新しいGuoliの建物、福田区、シンセン都市、広東省中国のジッパー:518031
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製品詳細 会社概要
製品詳細

2SC5171東芝のトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル タイプ電力増幅器の塗布

 

 

特徴

 


•高い転移の頻度:fT = 200のMHz (タイプ。)

•2SA1930に補足

 

 

電気特徴(Tc = 25°C)

特徴

記号

テスト条件

タイプ。

最高

単位

コレクタ遮断電流

ICBO

VCB = 180ボルト、IE = 0

-

-

5.0

μA

エミッターの締切りの流れ

IEBO

VEB = 5ボルト、IC = 0

-

-

5.0

μA

Collector-emitterの絶縁破壊電圧

V (BR) CEO

IC = 10 mA、IB = 0

180

-

-

V

DCの現在の利益

hFE (1)

VCE = 5ボルト、IC = 0.1 A

100

-

320

 

hFE (2)

VCE = 5ボルト、IC = 1 A

50

-

-

Collector-emitterの飽和電圧

VCE (坐った)

IC = 1 A、IB = 0.1 A

-

0.16

1.0

V

Base-emitterの電圧

VBE

VCE = 5ボルト、IC = 1 A

-

0.68

1.5

V

転移の頻度

fT

VCE = 5ボルト、IC = 0.3 A

-

200

-

MHz

コレクターの出力キャパシタンス

穂軸

VCB = 10ボルト、IE = 0、f = 1つのMHz

-

16

-

pF

 

絶対最高評価(Tc = 25°C)

特徴

記号

評価

単位

Collector-base電圧

VCBO

180

V

Collector-emitter電圧

VCEO

180

V

Emitter-base電圧

VEBO

5

V

コレクター流れ

IC

2


基礎流れ

IB

1


コレクターの電力損失

Ta = 25°C

PC

2.0

W

Tc = 25°C

20

接合部温度

Tj

150

°C

保管温度の範囲

Tstg

−55に150

°C

 

適用


•電力増幅器の塗布

•運転者段階のアンプの塗布

2SC5171 .pdf

China 2SC5171可聴周波電力増幅器ICのトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル タイプ200のMHz supplier

2SC5171可聴周波電力増幅器ICのトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル タイプ200のMHz

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