high voltage igbt driver

高速電源MOSFETとIGBTドライバ 3相高圧ゲートドライバ 記述 JY213Hは,3つの独立した高低サイド参照を持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバーです 3相ゲートドライバの出力チャネル. UVLO回路は,VCCとVBSが指定された値を下回るときに不具.........

半導体装置 超高電圧 IGBT 高入力阻力 製品説明: この高速スイッチング速度により,高電力IGBTは効率的な電源変換を保証し,電源損失を削減し,システムの信頼性を高めます.高周波のアプリケーションに最適です特に20KHz~60KHzのアプリケーション周波数で動作するものはこのIGBTの.........

FF450R12KT4 IGBT電源トランジスタモジュール 450A 1200V 高圧Igbt電源モジュール IGBTモジュール N-CH 1.2KV 580A 記述 私はについてFF450R12KT4高性能の電源半導体モジュールで 現代の電子システムの要求に応えるように設計されていますこの.........

IXGH24N170IXYS高電圧IGBTIXGH24 IGBT 1700V 50A 250WTO247ADディスクリート半導体製品 仕様：高電圧IGBT NPT 1700 V 50 A 250WスルーホールTO-247AD 部品番号......

GaN IC NSD2621A-DQAGR GaN 半ブリッジドライバ 6V 高電圧 GaN ドライバ IC [MJD優位性] 電子コンポーネントで15年以上の経験 + 安全な注文 + 優れたフィードバック 保証された配達日 +100%低価格保証 +108カ国に輸出 顧客満足度99.9%!!.........

滑走路端燈の屋外の防水高いワット12V 200W電子LEDの運転者 防水電子LEDの運転者の特徴 *適用:LEDの印、LEDの広告、LEDの照明、等。 *一定した電圧、単一の入出力deisign * IP67防水設計 * Ta:- 30℃ | +60℃ *電圧に…/Over Loa.........

プロダクト リスト: IR2127STRPBFの集積回路（IC）の破片 特徴: •800V、3A、零交叉、最高および低側の運転者•内部ブートストラップの回路部品•ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル•低い側面の参照された出力電圧•両方のチャネルのための不足電圧閉.........

ドライバーIC統合回路 SY7201ABC シレルギー SOT 23ドライバICとしても知られるドライバチップは,他の電子部品を制御し,駆動する電子機器の基本的な部品です.幅広いデバイスの様々な電子部品の制御とアクティベーションを可能にするドライバチップドライバチップは,電源が切断された場合でも,.......

2SC0108T2G0-17力管理モジュールは二倍になるCHのスケール1700V IGBTの運転者HVICの包装の皿の部品の状態活動的な運転された構成高側または低側のチャネル タイプ運転者2のゲートのタイプIGBTの電圧-供給14.5 V | 15.5ボルトの論理の電圧-の独立した数VIL、VIH ......

記述: JY213Hは,3相ゲートドライバのための3つの独立した高低サイド参照出力チャネルを持つ高速電力MOSFETとIGBTドライバです.半ブリッジの故障を防止する内蔵デッドタイム保護とショットスルー保護UVLO回路は,VCCとVBSが指定された限界電圧を下回ると故障を防ぐ.600V高電圧プロ........

JY21L 高低の側面の運転者 概説プロダクトはP-SUB P-EPIプロセスに基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。浮遊チャネルの運転者が150Vまで作動するIGBTか2つのN-channel力MOSFETを独自に運転するのに使用することができる。論理の入力は3.3V.........

IR2130STRPBF 3-PHASE橋運転者の高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者 記述 IR 2109(4) （S）は依存した高低の側面が付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者参照した出力チャネルをである。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすた.........

IR2130STRPBF 3-PHASE橋運転者の高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者 記述 IR 2109(4) （S）は依存した高低の側面が付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者参照した出力チャネルをである。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすた.........

高電圧 IGBT より速い切り替え速度と高電力 製品説明: ハイパワーIGBTは,他のIGBTよりもより高い電力と切り替え速度を提供する絶縁ゲート双極トランジスタ (IGBT) インバーターである.より最適化された溝組み合わせ設計車両の仕様要件に厳格な参照.より速いスイッチ速度と最大60KHzの........

NCP5111DR2Gの高圧高低の側面の運転者IC NCP5111はディレクト・ドライブに2出力を提供する高圧力のゲートの運転者である 2つのN−channel力のMOSFETsの またはIGBTsはhalf−bridge構成で整理した。 それはhigh−sideの電源スイッチ.........

3-PHASE橋運転者IR2130/IR2132 （J）及び（PbF） 製品の説明 包装テープ及び巻き枠（TR） 部分の状態活動的運転された構成半橋チャネル タイプ3-Phase運転者の数6ゲートのタイプIGBT、N-Channel MOSFET電圧-供給10ボルト| 20ボルト論理の電圧- V........