Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

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IR2127STRPBFの半導体の破片ICの高性能高圧MOSFETの運転者

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IR2127STRPBFの半導体の破片ICの高性能高圧MOSFETの運転者

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型式番号 :IR21271STRPBF
原産地 :複数の起源
プロダクト状態 :在庫
運転者構成 :高圧側面か低圧の側面
チャネル タイプ :1つの方法
ドライブの数 :1
ゲートのタイプ :IGBT、N-channel MOSFET
電圧-電源 :12V | 20V
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IR2127STRPBFの集積回路(IC)の破片

 

特徴:


•800V、3A、零交叉、最高および低側の運転者
•内部ブートストラップの回路部品
•ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル
•低い側面の参照された出力電圧
•両方のチャネルのための不足電圧閉鎖
•論理の地面は基準入力を
•互換性があるTTL
•温度の保護に
•短絡の保護

パッケージ:8ピンSOIC

実用温度:-40°Cへの+125°C

保管温度:-65°Cへの+150°C

供給電圧:8Vへの20V

現在:3A (最高)

出力電圧:800V (最高)

伝搬遅延の時間:200ns

上昇/落下の時間:25ns/25ns

 

 

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IR2127STRPBFの半導体の破片ICの高性能高圧MOSFETの運転者

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