IGBTs SOP8のハイ・ロー側面の運転者IC 600V NCP5111DR2G
モデル番号:NCP5111DR2G
原産地:米国
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、paypalウェスタン・ユニオン
供給の能力:10,000pcs
受渡し時間:標準的な2-3days
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Shenzhen Guangdong China
住所：
No.1 SHENHUAの通りSHENFENGの道LIUYUE LONGGANG区域シンセン、中国を造るRM 311 3/F LINZHAN幸運
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 41 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
NCP5111DR2Gの高圧高低の側面の運転者IC
NCP5111はディレクト・ドライブに2出力を提供する高圧力のゲートの運転者である
2つのN−channel力のMOSFETsの
またはIGBTsはhalf−bridge構成で整理した。
それはhigh−sideの電源スイッチの適切なドライブを保障するのにブートストラップの技術を使用する。
特徴
•高圧範囲:600Vまで
•dV/dtの免除±50 V/nsec
•10ボルトからの20ボルトへのゲート ドライブ供給の範囲
•高低ドライブ出力
•出力源/流しの現在の機能250 mA/500 mA
•3.3互換性があるVおよび5ボルトの入力論理
•入れられたピンのVCCまで振動
•信号の伝播のための−10 Vへの延長正当で否定的な橋Pinの電圧振動
•両方のチャネル間の一致させた伝搬遅延
•内部固定不感時間（650 ns）と入る1つ
•VCC両方のチャネルのための閉鎖（UVLO）以下
•業界標準と互換性があるPin−to−Pin
•これらはPb−Free装置である
典型的な適用
•Half−bridgeの周波数変換装置
デリカテッセンの電子工学のtehcnology Co.、株式会社
mail:sales3@deli-ic.com
Skype:hkdeli881
接触:VIVI-CHEN
IGBTs SOP8のハイ・ロー側面の運転者IC 600V NCP5111DR2G
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