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IGBTs SOP8のハイ・ロー側面の運転者IC 600V NCP5111DR2G

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China IGBTs SOP8のハイ・ロー側面の運転者IC 600V NCP5111DR2G wholesale
  • China IGBTs SOP8のハイ・ロー側面の運転者IC 600V NCP5111DR2G wholesale

IGBTs SOP8のハイ・ロー側面の運転者IC 600V NCP5111DR2G
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モデル番号 :NCP5111DR2G
原産地 :米国
最低順序量 :10pcs
支払の言葉 :T/T、paypalウェスタン・ユニオン
供給の能力 :10,000pcs
受渡し時間 :標準的な2-3days
包装の細部 :巻き枠
PN :NCP5111DR2G
ブランド :オン
原物 :米国
タイプ :高圧高低の側面の運転者
パッケージ :SOP8
電圧 :600ボルトまで
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NCP5111DR2Gの高圧高低の側面の運転者IC

NCP5111はディレクト・ドライブに2出力を提供する高圧力のゲートの運転者である
2つのN−channel力のMOSFETsの
またはIGBTsはhalf−bridge構成で整理した。
それはhigh−sideの電源スイッチの適切なドライブを保障するのにブートストラップの技術を使用する。
特徴
•高圧範囲:600Vまで
•dV/dtの免除±50 V/nsec
•10ボルトからの20ボルトへのゲート ドライブ供給の範囲
•高低ドライブ出力
•出力源/流しの現在の機能250 mA/500 mA
•3.3互換性があるVおよび5ボルトの入力論理
•入れられたピンのVCCまで振動
•信号の伝播のための−10 Vへの延長正当で否定的な橋Pinの電圧振動
•両方のチャネル間の一致させた伝搬遅延
•内部固定不感時間（650 ns）と入る1つ
•VCC両方のチャネルのための閉鎖（UVLO）以下
•業界標準と互換性があるPin−to−Pin
•これらはPb−Free装置である
典型的な適用
•Half−bridgeの周波数変換装置
IGBTs SOP8のハイ・ロー側面の運転者IC 600V NCP5111DR2G
IGBTs SOP8のハイ・ロー側面の運転者IC 600V NCP5111DR2G

デリカテッセンの電子工学のtehcnology Co.、株式会社

mail:sales3@deli-ic.com
Skype:hkdeli881
接触:VIVI-CHEN

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