高面モスフェットドライバー

TC4420 TC4429 6A高速MOSFETの運転者 特徴 保護された■の掛け金は............ >1.5Aの逆の出力電流に抗します ■の論理の入力は5Vまで否定的な振動に抗します ■ ESDによって保護される................................

TC4421A/TC4422A 9A 高速 MOSFET ドライバ 特徴 • 高ピーク出力電流: 10A (標準) • 出力段での低い貫通電流/相互伝導電流 • 広い入力電源電圧動作範囲: - 4.5V～18V • 高い連続出力電流: 2A (最大).........

ゲートの運転者高速高いサイドMOSFETの運転者 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: マイクロチップ 製品カテゴリ: ゲートの運転者 RoHS: 細部 プロダクト: MOSFETのゲートの運転者 タイプ: 高側 様式の取付け: SMD/SMT パッケージ/場合: SOIC-8 運転者の数: ......

半導体の破片IC IRS4427STRPBFの低速は入力電流高速MOSFETの運転者を プロダクト リスト: 製品名:IRS4427STRPBF 記述:半導体ICの破片 機能:高い側面力MOSFETの運転者 入れられた電圧:5Vへの18V 出力電流:3A 最高の動作周波数:.........

JY12M BLDCモータードライバのためのNとPチャネル30VMOSFET 一般的な説明 JY12Mは,NとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタです高密度細胞のDMOS溝技術を用いて作られています状態の抵抗を最小限に抑えるために特別に設計されています.携帯電話やノートP.........

ドライバーIC統合回路 PT4115B89E SOT 89ドライバICとしても知られるドライバチップは,他の電子部品を制御し,駆動する電子機器の基本的な部品です.幅広いデバイスの様々な電子部品の制御とアクティベーションを可能にするドライバチップドライバチップは,電源が切断された場合でも,他の電子部.......

MIC5021YM-TRのマイクロチップ ゲートの運転者の高速高いサイドMOSFETの運転者SOIC-8 MIC5021YM MIC5021YN 製造業者:マイクロチップ製品タイプ:ドアの運転者プロダクト:MOSFETのゲートの運転者タイプ:高側設置様式:SMD/SMTパッケージ.........

トランジスター、耐久の高いAmpのトランジスターを使用するAP6H03S Mosfetの運転者 トランジスター記述を使用するMosfetの運転者: AP6H03Susesの高度の堀優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供する技術。補足のMOSFETsがaを形作るのに使用されるかも.........

JY213Lの3つの独立した出力チャネルが付いている力MOSFETおよびIGBT装置のための高速ゲートの運転者記述JY213Lは力MOSFETおよびIGBT装置のために合う高速3-phaseゲートの運転者である。この高度の運転者は3つの独立した出力チャネルを、特色にし高低の側面は参照し、最適制御を保......

高い発電MOSFET FAN3224TU_F085の低側のゲートの運転者、高速二重4-A [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学（香港）のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のためのサービス、専門にするであり、.........

元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお.........

NCS20074DTBR2G - パワーMOSFETおよびIGBT用の高速デュアルMOSFETドライバ ここのstock.xlsxで情報を見つけてください 序章： NCS20074DTBR2G は、ハーフブリッジ構成で 2 つの N チャネル MOSFET または IGBT を.........

TC4420CPAの低側のゲートMosfetの運転者IC非逆になる8-PDIP 概説 TC4420/TC4429は6A （ピーク）、単一出力MOSFETの運転者です。TC4429はTC4420は非逆になる運転者であるが、逆になる運転者（TC429とピン互換性がある）です。これらの運転者は低い電力そし......

LMG1025QDEETQ1 高周波および狭いパルスアプリケーションのための自動車低サイドガンおよびMOSFETドライバー LMG1025QDEETQ1の製品説明 LMG1025QDEETQ1は,高スイッチング周波数自動車アプリケーションのための単チャンネル低側強化モードGaN FETと論理レ.........

DuaチャネルIGBTの運転者SCALETM-2+IGBTおよびMOSFETの運転者の中心 Q1. パッキングのあなたの言葉は何ですか。 A:通常、私達は中立ホワイト ボックスおよび茶色のカートンの私達の商品を詰めます。法的にパテントを登録したら、私達はあなたの承認の手紙.........

一般的な説明: JY12MはNとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタで,高細胞密度DMOSトレンチ技術を使用して製造されています.この高密度プロセスは,特に状態での抵抗を最小限にするために設計されています携帯電話やノートPCなどの低電圧アプリケーションに特に適しています.と低線電........

RFR4105ZTRPBF Mosfetの運転者IC NチャネルFETのタイプ55V 30A DPAK RFR4105ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 部門 分離...

TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICPMIC TC4426 TC4427TC4428マイクロチップ1.5Aデュアル反転パワーMOSFETドライバ集積回路ICTC4426EOA713 TC44.........