TC4421AVOA 集積回路チップ 9A 高速 MOSFET ドライバ

TC4421A/TC4422A

9A 高速 MOSFET ドライバ

特徴

• 高ピーク出力電流: 10A (標準)

• 出力段での低い貫通電流/相互伝導電流

• 広い入力電源電圧動作範囲:

- 4.5V～18V

• 高い連続出力電流: 2A (最大)

• 一致した高速立ち上がり時間と立ち下がり時間:

- 4,700 pF 負荷で 15 ns

- 47,000 pF 負荷で 135 ns

• 整合した短い伝播遅延: 42 ns (標準値)

• 低消費電流:

- ロジック「1」入力の場合 – 130 µA (代表値)

- ロジック「0」入力の場合 – 33 µA (代表値)

• 低出力インピーダンス: 1.2Ω (標準値)

• ラッチアップ保護: 1.5A の出力逆電流に耐えます。

• 入力は最大 5V の負入力に耐えます

• TC4420/TC4429 および TC4421/TC4422 MOSFET ドライバとピン互換

• 省スペース、熱強化された8ピンDFNパッケージ

アプリケーション

• 超高負荷ライン用のラインドライバ

• パルス発生器

• 最大のMOSFETとIGBTを駆動

• ローカル電源オン/オフスイッチ

• モーターとソレノイドドライバー

• LFイニシエーター

概要

TC4421A/TC4422A は、単一出力 MOSFET ドライバの以前の TC4421/TC4422 ファミリの改良バージョンです。これらのデバイスは、大型 MOSFET および絶縁ゲート バイポーラ トランジスタ (IGBT) を駆動できる大電流バッファ/ドライバです。TC4421A/TC4422A は、出力の立ち上がり時間と立ち下がり時間、および立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの伝播遅延時間を一致させています。TC4421A/TC4422A デバイスの交差導通電流も非常に低く、デバイス全体の電力損失が低減されます。

これらのデバイスは、直接的な過電圧や過電力を除いて、いかなる形の異常にも基本的に影響を受けません。電力および電圧定格内のいかなる条件下でもラッチすることはできません。これらの部品は、接地端子に最大 5V の接地バウンスが存在しても、損傷したり、誤動作したりすることはありません。いずれの極性でも 1A を超える誘導電流が出力に強制的に戻されても、損傷やロジックの混乱を引き起こすことなく受け入れることができます。さらに、すべての端子は最大 4 kV の静電気放電に対して完全に保護されています。

TC4421A/TC4422A 入力は、TTL または CMOS (3V ～ 18V) から直接駆動できます。さらに、300 mV のヒステリシスが入力に組み込まれているため、ノイズ耐性が提供され、ゆっくりとした立ち上がりまたは立ち下がり波形からデバイスを駆動できるようになります。

表面実装パッケージとピンスルーホールパッケージの両方を備え、広い動作温度範囲に加えて、9A MOSFET ドライバの TC4421A/TC4422A ファミリは、高ゲート/ライン容量駆動が必要なほとんどのアプリケーションに適合します。

絶対最大定格 †

供給電圧 ................................................ .....+20V

入力電圧 ................................ (VDD + 0.3V) ～ (GND – 5V)

入力電流 (VIN > VDD)................................................50 mA

† 「絶対最大定格」に記載されているストレスを超えるストレスは、デバイスに永久的な損傷を引き起こす可能性があります。これらはストレス定格のみであり、これらの条件または仕様の動作セクションに示されている条件を超えるその他の条件でのデバイスの機能動作は暗示されません。絶対最大定格条件に長時間さらされると、デバイスの信頼性に影響を与える可能性があります。

パッケージの種類⁽¹⁾

機能ブロック図

株式公開（ホットセル）