high power pnp transistor

SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めますトランジスター2SA1015トランジスター（PNP）を 特徴 Ÿの電力損失 印が付いていること A1015=Deviceコード 固体は形成の混合装置を、どれも、正常な装置not dot=Green.........

TO-92はプラスチック内部に閉じ込めるトランジスター2N5401トランジスター（PNP）を 特徴 高圧のŸの切換えそして拡大 電話のようなŸの適用 Ÿの低い流れ Ÿの高圧 発注情報 部品番号 パッケージ.........

高功率 500w ライブ放送ソフトライト フラットパネルライト 高色レンダリング ライブ放送撮影に適しています パッケージ: GL 5000C*1pcs,リモコン*1pcs,ディフューザー*1pcs,外部電源*1pcs,使用説明書*1pcs 技術パラメータ: モデル G.........

MJD112T4Gの高い発電mosfetのトランジスター、補足のダーリントン力トランジスター MJD112 （NPN） MJD117 （PNP） 補足のダーリントン力トランジスター 表面の台紙の塗布のためのDPAK ケイ素力トランジスター 2アンペア 100ボル.........

BD442 PNP力トランジスター高い発電mosfetのトランジスター 特徴 ■PNPのトランジスター 適用 ■線形および転換の産業設備 記述 この装置は「基礎島」のレイアウトとの平面の技術で製造される。非常に低い飽和電圧とつながれる生じるトランジスターは例.........

プロダクト細部 包装管 部分の状態活動的トランジスター タイプPNP現在-コレクター（（最高） IC）16A電圧-コレクターのエミッターの故障（最高）250VVceの飽和（最高） @ Ib、IC4V @ 3.2A、16A現在-コレクターの締切り（最高）100µADCの現在の利益（hFE） （分） @......

J201 JFET Nチャネルトランジスタ 一般用途 高功率RFトランジスタ 製造者: フェアチャイルド 製品カテゴリー: JFET RoHS について 詳細 テクノロジー そうだ マウントスタイル: 穴を抜ける パッケージ/ケース: TO-92 トランジス.........

ライン頻度1200V 50AのためのCLA50E1200HBの高い発電MOSFETのトランジスター/サイリスタ 商品は調節する: 真新しい 部分の状態: 活動的 無鉛/Rohs: 不平 機能: 回路制御.........

製品説明: 高功率 IGBT 高電源隔離ゲート双極トランジスタ (High Power Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT) は,搭載充電器,溶接機,電源交換,光伏インバーター,エネルギー貯蔵高電力IGBTは,電流密度400A/cm2とより速いスイッチ........

AD9361BBCZ RF力トランジスター-高い発電の高い信頼性 AD9361BBCZは900のMHzの主義バンドの使用のために設計されている強力な、高性能のN-channel RF力トランジスターである。装置は広いゲートの電圧範囲および優秀な熱安定性を特色にする。それはRFの電力増幅器、細.........

FDPC5018SGの電子部品MOSの変圧器のBomサービス原物の高い発電mosfetのトランジスター プロダクト概観 MOSFET 2N-CH 30V PWRCLIP56 Mosfetの配列2のN-Channel （二重）非対称的な30V 17A、32A 1Wの1.1.........

バッテリータブスポット溶接機 高電力 10000A トランジスタ電源 設備の導入 ●NB/パワーツール/ガーデニングツール/ハイパワー/電源ステーションバッテリー/電気モーターサイクル/電気自動車などのモジュール式リチウム電池パックのスポット溶接に適しています.そして,リチウム電池パック生産ライン.......

IRFP460LC力MOSFET -あなたの電子工学の必要性のための高性能解決IRFP460LC力MOSFETの購入の賛否両論 あなたの電子デバイスに動力を与えるために強力のおよび信頼できるトランジスター捜せばIRFP460LC力MOSFETはかもしれないちょうどである必要とするかもの。この.........

FLM0910-25F RF力トランジスターXバンド内部的に一致させたFET 記述 FLM0910-25Fはmatchedfor 50Ωsystemの最適力そして利益を提供する標準的なコミュニケーション バンド内部的にある力GaAs FETです 在庫の他の電子部品のリスト 部品番号 MFG......

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製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

FDA59N30 Pnp力トランジスター59A 300V N-Channel 56のMOhmsの高い発電のトランジスター 記述...

TIP42C NPN PNPのトランジスター両極（BJT）トランジスターPNP 100V 6A 65W 特徴 ■補足PNP-NPNの装置 ■の新しい高められたシリーズ ■の高い切り替え速度 ■のhFEの分かれること ■のhFEによって改善される直線性 適用 ■の一般目的回路 ■のオーディオ・アンプ ......