h bridge using mosfet

4NチャネルMosfetの配列MSCSM170HM23CT3AG完全な橋SiC MOSFET力モジュール602W MSCSM170HM23CT3AGの製品の説明 MSCSM170HM23CT3AGは完全な橋SiC MOSFET力モジュール、1700ボルトの124 Aの炭化ケイ素（SiC）.........

IR2130STRPBF 3-PHASE橋運転者の高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者 記述 IR 2109(4) （S）は依存した高低の側面が付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者参照した出力チャネルをである。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすた.........

JY12M BLDCモータードライバのためのNとPチャネル30VMOSFET 一般的な説明 JY12Mは,NとPチャネル論理強化モードの電源フィールドトランジスタです高密度細胞のDMOS溝技術を用いて作られています状態の抵抗を最小限に抑えるために特別に設計されています.携帯電話やノートP.........

リモート・コントロール操作装置を使用して機械化された橋 リモート・コントロール操作の装置によって機械化される橋の使用の記述: .........

IR2130STRPBF 3-PHASE橋運転者の高圧、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者 記述 IR 2109(4) （S）は依存した高低の側面が付いている高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者参照した出力チャネルをである。専有HVICは免疫CMOSの技術の掛け金を降ろすた.........

専門家設計されていたベイリーの吊り橋は南アメリカの馬小屋に広く輸出します記述 吊り橋は鋼鉄デッキがメンバーとして使用される一種の中断ケーブル システム橋大きいスパンの高い抗張に全く出ることができます、広い川独特、鋼鉄湾に及ぶのに主に使用されてであり、速い建設のteの利点を所有している渓谷は短い構........

コンパクト100の標準のパネル橋の適用:単一の車線:船橋楼甲板の幅:4m。径間長:9-60mは密集した100つのパネル橋イギリスによって設計されていて偽装され、急速に建てることができるタイプの航海システムである。全橋はhigh-tensile強さの鋼鉄と溶接される。ガードは軽量の合成のパネルであり、......

継ぎ目が無い鋼管の穏やかな鋼鉄管20#橋はDN400 6mmの厚さによってカスタマイズされる長さの暗い表面を使用する 製品の説明 20は# GB/T 8163-2008に従って作り出される継ぎ目が無い鋼管流動しか使用しない。さらに正当な壁厚さの相違、折り曲げ試験、低い電力の点検お.........

頭上式橋のための電磁石の上昇はを使用して、不用な鋼鉄輸送の電磁石の山東Mingdaoの重工業の機械類Co.、単一のガード クレーン（LDは模倣する）、ガントリー クレーン（MH、MDG。）、ジブ クレーン（BZ、QZ、MZ等）、可変的な頻度クレーン、耐圧防爆シリーズ クレーン（LB、QB等）、チェー......

新品とオリジナル 集積回路ICチップ 電子部品 [Wh はo そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,アナログ,デジタル,RF統合回路を含む電子部品の主要販売業者であり,航空宇宙,軍事,医療,自動車,消費電子機器製.........

製品説明: ドックフロートは,ドックやその他の海洋構造を支えるために使用される特殊な構造物です.これらのフロートは,強固で耐久性の高い材料であるLLDPEから作られています.線形低密度ポリエチレンとしても知られる水や厳しい気象条件に耐えるように設計されているため,海洋環境での使用に最適です. L........

プラットホームの格子は火格子を付ける熱いすくいの電流を通された鋼鉄格子に金属をかぶせる Desprictions: プラットホームの鋼鉄格子版はまたプラットホームを鋼鉄格子版、プラットホームの格子版と呼ばれたり、平らな鋼鉄からある特定の間隔および十字の配筋に従って成り、一種の中間の正.........

管道材料として,シームレス鋼管は,工学建築において重要な役割を果たしています.Q235製のシームレス鋼管は,安定した性能と適正な価格により,幅広い用途の選択になりました..1縫い目のない鋼管材料Q235の特性縫合のない鋼管材料Q235は,通常の炭素構造鋼に属しており,以下の特徴があります.1優れた可......

製品説明: 高電圧MOSゲートトランジスタ (High Voltage MOS-Gate Transistors,HV MOSFETs) は,電気信号の切り替えに使用される半導体装置の一種である.LEDドライバなどの様々なアプリケーションで広く使用されていますHV MOSFET は高電圧と超高電........

NTTFS5116PLTAG MOSFET パワーエレクトロニクス NTTFS5116PLTAG MOSFET パワー エレクトロニクスは、さまざまなアプリケーションで使用するために設計された高性能パワー半導体デバイスです。低いオン状態抵抗、高いスイッチング速度、優れた熱管理特性を.........

NTF3055L108T1G力MOSFET 3.0 A、60ボルト線形力mosfetの堀力mosfet 特徴 •Pb−Freeのパッケージは利用できます 適用 •電源 •コンバーター •力の運動制御 •ブリッジ・サーキット .........

JY13M NおよびH橋およびインバーターのための低い入れられたキャパシタンスのPチャネル40V MOSFET 概説JY13Mは優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供できるNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである。補足のMOSFETsはH橋、インバーター.........

2N60-TC3力MOSFET 2A、600V Nチャネル力MOSFET 記述 UTC 2N60-TC3は高圧力MOSFET、速い切換えの時間、低いゲート充満の低いオン州の抵抗のようなよりよい特徴を、持つようにそして高く険しいなだれの特徴を持つように設計されています。この力MOSFETは通.........

600V 高電流 有名高電源 MOSFET 制御装置とブリッジ回路用 特徴 • 速やかに 切り替える • 低 ON 抵抗 • 低ゲート 料金 • 100% シングルパルス 雪崩エネルギーテスト 応用 • 高効率のスイッチ • モーター駆動 • アンプメーター • UPS 電源 .........