GaN-on-Si ((111) N/P T型基板 エピタキシ 4インチ 6インチ 8インチ GaN-on-Si 基質抽象 GaN-on-Si (111) 基質は高性能電子機器および光電子機器において,その広い帯域隙間,高い電子移動性,熱伝導性により不可欠である.この基板は,シリコンのコスト効率と拡......
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Si 化合物・ウェーファー,Si ウェーファー,シリコン・ウェーファー,化合物・ウェーファー,Si 基板上の GaN,シリコン・カービッド基板,4インチ,6インチ,8インチ,シリコン (Si) 基板上のガリウムナイトリド (GaN) 層 Si ワッフル上のGaNの特性 製造のために.........
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ZnO結晶基板は,GaN (青いLED) エピタキシアル基板のブロードバンド接続装置および他の分野で使用されます. 亜鉛酸化物 (ZnO) の結晶基板は,GaN (青いLED) の表軸基板,ブロードバンド接続装置,その他の分野で使用されている.亜鉛酸化物単結晶は,室温で60mevのエキソン結合エネル......
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製品説明: アルミナイトリドセラミック製品概要 GaN-on-QSTは,米国Qromis社によって提供され,シリコン基板または種子結晶として使用できます. 2017年,彼らは,Kyma Technologiesと協力して,QST基材技術に基づく最初の自由立体GaN基板 (4インチ) を生産.........
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大幅な直接帯域差 (3.4 eV),強い原子結合,高熱伝導性,優れた放射線抵抗性により,GaNは短波長光電子材料だけでなく,高温半導体装置の代替材料でもあります安定した物理的および化学的性質に基づいて,GaNはLEDアプリケーション (青,緑,UV光),紫外線検出器および高電力および高周波の光電子機......
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トランジスターIMZA120R014M1HXKSA1 1200V 14mΩ SiC堀MOSFET TO247のパッケージ 記述 CoolSiC™ 1200ボルト、信頼性と性能を結合するために最大限に活用される最新式の堀の半導体プロセスのTO247-4パッケージの造りの14のmΩ SiC M.........
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2400MHz-2500MHz 2.4GHz 2.5GHz 20W GANドローンFPVジャマー 1. 記述 ACASOMが独立して開発した 50W ドローン FPV ジャマーが主にドローンとFPVをシールドするために使用され,シールド距離は1-2kmです.この製品は,最新世.........
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LED基板のための磨き車 適用する LED基板の磨き機は,主に2 ′′,4 ′′,6 ′′LEDエピタキシアルウエフルのバックスライディングに使用されます.高性能の韓国と台湾の磨き機. 工件:サファイアエピタキシャル・ウエファー,SiC基板エピタキシャル・ウエファー,Si基板エピタキシャル・ウエ........
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ボロンドーピングダイヤモンドCVDBdd電極,シ/ニオビウム基板を覆う 仕様 製品名 ボロンドーピングダイヤモンドCVDBdd電極,シ/ニオビウム基板を覆う 色 ブラック 形状 方形,長方形,丸いなど 厚さ 0.3mm-0.8mm 使用 純粋な水 タイプ 吹.........
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ナノグレード 基板チップ アルミナ 磨き粉 アルファアルミナ (コロンドム) は高硬さと良好な安定性を有する.ナノスケールアルミナは,光学レンズ,単核繊維コネクタ,微結晶ガラス基板の精密磨きに適しています.,現在では,この技術が非常に広く使われています.高明るさのGaNベースのブルーLE.........
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CVDホウ素ドープダイヤモンドBDD電極、Si/ニオブ基板コーティング用 製品属性 属性 値 形状 丸型、正方形、ま...
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磨かれた表面Siのケイ素の単結晶 黒い無定形のケイ素はカーボンが付いている砂(SiO2)の減少によって得られる。ケイ素に青灰色の金属光沢があればUltra-pure水晶。バルク ケイ素は酸素、水および酸の方にun-reactive (HFを除いて)であるが、熱いアルカリで分解する。ケイ素は半導体、合......
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DPCプロセスは,LED/半導体/電子産業に適用される高度なコーティング技術である.典型的な応用は,セラミック放射性基板である. 伝統的な製造方法と比較して,PVD真空スプッター技術によるAl2O3,AlN,Si,ガラス基板に対するクーパー導電膜堆積:DBC LTCC HTCC,特徴: 1生産コスト......
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ソニー SI-G200MK7 マシンの概要 **ソニーのピックアンドプレイスマシンSI-G200MK7**は,驚異的な精度で高速配置のために設計されています.それは最大配置速度を誇っています 時速45,000部品 (CPH),現代の電子機器製造の要求を満たす上で重要ですこのマシンには 組み立てプ........
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ZnOのウエファー、CDのウエファー、CdSeのウエファー、CdTeのウエファー、ZnSのウエファー、ZnSeのウエファーおよびZnTeのウエファー 私達は力装置、LED、センサーおよび探知器の塗布に高い純度の単結晶ZnOのウエファーおよびZnOの大きさを提供する。理想的な結晶構造によって、ZnOの......
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GM-512B H2Sガスセンサー ミニ臭気ブレス検出器用 半導体 特徴: MEMSブレスガスセンサーは、MEMSプロセスを用いてSi基板上にマイクロホットプレートを作製しています。使用されているガス感応材料は、清浄な空気中では低導電率を示す金属酸化物半導体材料です。検出対象ガスが周囲の空気中に存.......
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AZ150 GalvalumeのコイルSPCC AZ DX51Dはシートをアルミニウムで処理した 短い導入HDGLは一種の上塗を施してある鋼鉄コイル/シートである。基質として別の強さそして厚さの冷間圧延された鋼鉄によって、それは熱いすくいプロセスによって両方の表面のAl Znのコートを加える.........
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ソニーF130 SI-E1000MKIII E1100 G200MK7 E1000 E2000はcnsmtからのsmtの一突きそして場所機械を使用しました 速い細部 ソニーの細胞の実動モードの用具を実現して下さい、人間コンピュータ バランスの工場管理を達成して下さい0201.........
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GL青い/Colorは55%Galvalume鋼鉄コイル/冷間圧延された、最小にされたスパンコール、反指の印刷物に塗った 導入: Galvalume (省略:GLの鋼鉄は大気腐食に) Al55%、Zn43.5%、Si l.5%の鋼板の表面の熱いめっき、表面である滑らか、持っているよい.........
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