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運転手

1 - 20 の結果 運転手 から 24 製品

FETドライバー LMG3411R070RWHR パワー配送スイッチ Pチャンネル 12A 32VQFN 負荷ドライバー 仕様 特徴: ブートストラップ回路,5V制御出力 インプット:アウトプット: 1:1 インターフェース: 論理,PWM 電圧 - 供給 (.........

Time : Apr,21,2025
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新しい元の電子部品FETの運転者AUIRS4428STRの製品の説明:1. 6つのVから20ボルト2. CMOSからのゲート ドライブ供給の範囲は両方のチャネル4. OutputAのための入力3.伝搬遅延を修飾されたinputB 6.自動車7.と段階のInputA 5. OutputBと段階から一致......

Time : Apr,26,2023
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在庫リスト PA0173NLT 7386 脈 16歳以上 SOP P0926NL 8560 脈 16歳以上 SOP PM10CSJ060 145 三菱 10+ モジュール...

Time : Jan,05,2026
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テキサス・インスツルメント著TPIC44H01DAG4 ICのゲートの運転者の高い側面32TSSOP TPIC44L02 TPIC46L01 TPIC46L02集積回路ICテキサス・インスツルメント(電子部品) 記述: TPIC44H01は4つの外的なNMOS力のFETsを制御するため.........

Time : Nov,06,2025
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RFR4105ZTRPBF Mosfetの運転者IC NチャネルFETのタイプ55V 30A DPAK RFR4105ZTRPBF MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 部門 分離...

Time : Nov,29,2024
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ゲートの運転者TSMC 12V FET DRVR 製品特質 属性値 選り抜き属性 製造業者: onsemi 製品カテゴリ: ゲートの運転者...

Time : Nov,30,2024
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145のMHzは操作Ampsの光学集積回路AD8065WARTZの高性能FET絶食します 適用 ►Automotive運転者の援助システム ►Photodiodeのプリアンプ ►Filters ►A/Dの運転者 ►Levelの移動 ►Buffering 特徴 広い供.........

Time : May,30,2024
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MADR-009443-0001TRの一般目的のクォードFETおよびPINの運転者PQFN製品の説明 部品番号MADR-009443-0001TRはMACOMの技術の解決によって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの......

Time : Dec,13,2024
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ICの集積回路UCC5350MCDR SOIC-8はゲートの運転者を隔離した 製品の説明: UCC53x0はMOSFETsを、IGBTs運転するように、設計されている単一チャネルの、隔離されたゲートの運転者SiCのMOSFETsおよびGaNのFETs (UCC5350SBD)の系列である。.........

Time : Dec,09,2024
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TL074CDT J-FETのアンプIC 4回路14-SO 記述: TL074、TL074AおよびTL074Bは高速JFETの入力単一の演算増幅器である。 これらのJFETの入力演算増幅器のそれぞれはよく一致させた、高圧JFET組み込む そして単一集積回路の両極トランジスター。 速い.........

Time : Nov,29,2024
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IRFR9024NPBF PチャネルMOSFET 55V 11A 38Wの表面の台紙D朴 FETのタイプ Pチャネル 技術 MOSFET (金属酸化物) 流出させて下さいに源の電圧(Vdss) 55V 現在-.........

Time : Nov,30,2024
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運転者のための新しい到着TPS259530DSGT PMIC力管理IC現在の制限 詳しい製品の説明 パッケージ: SOP-8 価格: 私達に連絡しなさい 出荷の方法: 郵便局等 出荷の方.........

Time : Dec,09,2024
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元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用するMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、あります。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれます。力MOSF.........

Time : May,30,2024
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元の高圧Mosfetのトランジスター、トランジスターを使用してMosfetの運転者 高圧Mosfetのトランジスター働きおよび特徴 力MOSFETの構造はV構成に私達が次の図で見ることができるように、ある。従って装置はまたV-MOSFETかV-FETとして呼ばれる。V-はN+、Pお.........

Time : May,30,2024
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力管理ICテキサス・インスツルメント/TI TPS259530DSGT FET 内部 Ron (タイプ) (mOhm) 34 Vin (分) (v) 2.7、3 Vin (最高の) (v)......

Time : May,29,2024
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プロの電子部品ICチップワンストップ爆弾サービス シェンzhen Qingfengyuan Technology Co.私たちの会社へようこそ! 私たちは電子部品のすべてで1つのソースです. 私たちの専門知識は,幅広い提供にあります- 半導体:マイクロコントローラー,トランジスタ,ダイオード,集積.......

Time : Jun,22,2025
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HIP4081AIBZ IC HALF/FULL橋DRVR 20SOIC Renesas電子工学アメリカ株式会社プロダクト細部記述:Renesas HIP4081AIBZのゲートの運転者はSOIC広い20場合で包まれる高周波完全な橋FETの運転者である。9.5-15Vからの供給電圧の範囲および35.......

Time : Dec,09,2024
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Time : Sep,02,2023
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Time : Sep,13,2023
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