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IRFR9024NPBF PチャネルMOSFET 55V 11A 38Wの表面の台紙D朴
FETのタイプ | Pチャネル |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させて下さいに源の電圧(Vdss) | 55V |
現在-連続的な下水管(ID) 25°C | 11A (Tc) |
運転して下さい電圧(最高Rds、分Rdsを) | 10V |
(最高の) VgsのRds | 175 mOhm @ 6.6A、10V |
Vgs (Th) (最高の) ID | 4V @ 250µA |
ゲート充満(Qg) (最高の) Vgs | 19nC @ 10V |
Vgs (最高) | ±20V |
入力キャパシタンス(Ciss) (最高の) Vds | 350pF @ 25V |
FETの特徴 | - |
電力損失(最高) | 38W (Tc) |
実用温度 | -55°C | 150°C |
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LM118J/883 | NS/TI | ADAV4601BSTZ | ADI | |
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