HIP4082IPZ 80V、1.25A ピーク電流 H ブリッジ FET ドライバー リニア集積回路

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HIP4082IPZ

80V、1.25A ピーク電流 H ブリッジ FET ドライバー リニア集積回路

特徴

• ハーフブリッジまたはフルブリッジ構成で4つのNチャンネルFETを独立して駆動

• ブートストラップ供給最大電圧は 95VDC

• 50°Cの自由空気中で、通常15nsの立ち上がり時間と立ち下がり時間で1000pFの負荷を駆動

• ユーザーがプログラム可能なデッドタイム (0.1 ～ 4.5µs)

• DIS (ディスエーブル) は入力制御をオーバーライドし、Low に引き下げられたときにブートストラップ コンデンサをリフレッシュします。

• 5V ～ 15V ロジック レベルと互換性のある入力ロジックしきい値 • シュートスルー保護

• 不足電圧保護

• 鉛フリープラスアニールが利用可能 (RoHS 準拠)

HIP4082 は、中周波、中電圧の H ブリッジ N チャネル MOSFET ドライバ IC で、16 リードのプラスチック SOIC (N) および DIP パッケージで入手可能です。

特に PWM モーター制御および UPS アプリケーションをターゲットとしたブリッジ ベースの設計は、HIP4082 H ブリッジ ドライバーを使用してシンプルかつ柔軟になります。このデバイスは最大 80 V で動作するため、中程度の電力レベルのアプリケーションに最適です。

HIP4081 と同様に、シュートスルー状態を引き起こす可能性のあるものを除く、あらゆる可能なスイッチの組み合わせを駆動するための柔軟な入力プロトコルを備えています。HIP4082 は駆動電流が低減されているため、パッケージングの小型化が可能であり、プログラム可能なデッドタイムの​​範囲が非常に広い (0.1 ～ 4.5μs) ため、最大 200kHz のスイッチング周波数に最適です。HIP4082 には内部チャージ ポンプは含まれていませんが、上部駆動回路の非ラッチ レベル シフト変換制御が組み込まれています。

この機能と仕様のセットは、サイズとコストが重要なアプリケーション向けに最適化されています。より高いドライブ能力を必要とするアプリケーションには、HIP4080A および HIP4081A をお勧めします。

代表的なアプリケーション (PWM モード切り替え)

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