補完性シリコン電源トランジスタ

TIP41A/41B/41C TIP42A/42C 補足のケイ素力トランジスター ■補足PNP - NPN装置 記述 TIP41A、TIP41BおよびTIP41CはJedec TO-220のプラスチック パッケージに取付けられるケイ素のエピタキシアル基盤NPN力トランジスタ.........

補足のケイ素力トランジスター 電界効果トランジスタ 半導体 MJ15025G PNP の− MJ15023、MJ15025* ケイ素力トランジスター MJ15023 および MJ15025 は高い発電の音声、ディスク ヘッド ポジシァヨナーおよび他の線形適用の.........

AP12N10Dの電源スイッチのトランジスター、元のケイ素力トランジスター 概説: AP12N10Dの使用高度の堀の技術優秀なRDS （）、低いゲート充満を提供するため4.5V低いゲートの電圧の操作。これ装置はaとして使用のために適しています他の切換えの適用の電池の保護または。 .........

MJ13333 スイッチモードシリーズ 20AMPERE NPN シリコン電源トランジスタ 400- 500VOLTS 175WATTS カテゴリー トランジスタ Mfr モトロラー シリーズ - 部品のステータス - マウント.........

SOT-89-3Lはプラスチック内部に閉じ込めるトランジスターA42トランジスター（NPN）を 特徴 低いCollector-Emitterの飽和電圧 高い絶縁破壊電圧 印:D965A 最高の評価（通知がなければTa=25℃） .........

耐久性 熱消耗 高功率 MOSFET シリコン電源トランジスタ 製品説明: このMOSFETの最も重要な特徴の1つは 高速のスイッチです. これにより,迅速かつ効率的に電源をオンとオフに切り替えます.高性能なアプリケーションでは非常に重要です高周波のスイッチング電源や他の高電力アプリケーションで........

MJE3055T TO-220の補足のケイ素のプラスチック力トランジスター 記述 10アンペア補足のケイ素力トランジスター− 60ボルトの75ワット 能力をの扱う力に2つの限定があるトランジスター:平均接合部温度および第2故障。安全運転区域のカーブはICの− VCEを.........

スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........

ケイ素SMDのトランジスターPNP表面の台紙のトランジスターMMBT3906 SOT-23 MMBT3906 SOT-23 PNPの表面の台紙のトランジスター MMBT3906 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 補足のタイプNPNのトランジスター MMBT3904は推薦される エピタキ......

ハイパワーMOSFETECH8660コンプリメンタリデュアルパワーMOSFET、-30V、-4.5A、59mΩ [Who 私たちです？] Sunbeam Electronics（Hong Kong）Co. Ltdは、半導体の調達と電子部品の販売およ.........

IRF3205PBFのケイ素のNpn力トランジスター55V 110A 8.0mΩ力MOSFET Npn力トランジスター 記述 国際的な整流器からの高度HEXFET®力のMOSFETsは達成するのに高度の加工の技巧を利用する ケイ素区域ごとの極端に低いオン抵抗。速い切り替え速度と結合され、高耐久.........

RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W 増幅器アプリケーション向け RD06HVF1の説明 RD06HVF1 は、VHF RF パワーアンプ アプリケーション向けに特別に設計された MOS FET タイプのトランジスタです。 ......

2SC2987 NPN PNPのトランジスター ケイ素NPN力トランジスター 記述·TO-3PNのパッケージを使って·2SA1227をタイプする補足物·高い発電の消滅 適用·低周波の電力増幅器の塗布のため ピンで止めること PINの記述 1つの基盤 2Collector;基盤の取付けに接続される 3......

1つのN-Channel MSC060SMA070B4 700Vの炭化ケイ素のトランジスターTO-247-4力MOSFET MSC060SMA070B4の製品の説明 MSC060SMA070B4はV 700の源の感覚のTO-247 4鉛のパッケージの60のmΩの炭化ケイ素のN-Channe.........

製品説明: シリコンカービッドMOSFETは,金属酸化半導体場効果トランジスタ (MOSFET) とも呼ばれる.幅広い用途で使用される高効率の電子部品ソーラーインバーター,高電圧DC/DCコンバーター,モータードライバ,UPS電源,スイッチ電源,充電電池を含む. N型シリコンカービッド構造を備え........

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高圧単一MOSFET力トランジスターSIHB22N60E - E3 600V 21AのパッケージD2PAK FETのタイプ: N-channel 実用温度: -55°C | 150°C （TJ） パッケージ: TO263-3 D2P.........

FQPF18N60C -あなたの電子プロジェクトのための最終的な力トランジスター--を導入するFQPF18N60Cの力-高圧および高い現在の適用のための理想を自由にしなさい 高圧および高い現在の適用を扱うことができる力トランジスターを捜すか。FQPF18N60Cよりそれ以上に見てはいけない。.........

プロダクト細部プロダクト変数項目NO ZDIT-031プロダクト色のスカイ ブルー、濃紺、淡いピンク、紫色、等材料のシリコーンのカスタム化のロゴ/銘柄の印刷は、包装のサイズ21*21*5cm 1set/opp袋を包む7つの円の形MOQ 100pcsを形づける28pcs/CTN重量200g/pcのカー......