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TLV272IDGKR パワーアンプチップ 低消費電力 高出力 高ゲイン
製品の特徴：
- 動作電圧範囲 4.5 V ～ 16 V
- 単一電源動作
- ゲイン範囲 +2 ～ +100
- 低ノイズと低歪み
- 高出力電流駆動能力
- ユニティゲインが安定
- 低入力バイアス電流
- 低消費電力
- 8ピンDIPおよびSOICパッケージで利用可能
アプリケーション:
- オーディオおよびビデオ信号処理
- ポータブルおよびバッテリー駆動の製品
- 車載オーディオおよびビデオ
- 計測と制御
- データの取得と処理
- アクティブフィルター
- 医療機器
- 通信システム
- 産業用プロセス制御
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製品の状態
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アクティブ
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アンプの種類
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回路数
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2
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出力タイプ
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レールからレールへ
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スルーレート
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2.6V/μs
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ゲイン帯域幅積
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3MHz
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電流 - 入力バイアス
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1pA
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電圧 - 入力オフセット
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500μV
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電流 - 供給
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550μA (x2チャンネル)
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電流 - 出力/チャンネル
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8mA
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電圧 - 供給スパン (最小)
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2.7V
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電圧 - 供給スパン (最大)
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16V
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動作温度
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-40℃～125℃（TA）
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取付タイプ
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パッケージ・ケース
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サプライヤーデバイスパッケージ
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8-VSSOP
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基本製品番号
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