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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.

シンセンSaiのコリーの技術Co.、株式会社。

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RF力トランジスター

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 RF力トランジスター
China SM0805HC 0805 LED 誘導電球 LED 他の照明駆動電子部品 for sale

SM0805HC 0805 LED 誘導電球 LED 他の照明駆動電子部品

SM0805HC 0805 LED 誘導電球 LED 他の照明駆動電子部品 仕様 運送： 1、DHL、UPS、FEdex、TNT、EMS で世界中に発送できます。 梱包は非常に安全で丈夫です。特別なニーズがある場合はお知らせください2、お手元に届くまで......
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China M24LR04E-RDW6T/2 TSSOP-8-3mm RFカード破片の集積回路 for sale

M24LR04E-RDW6T/2 TSSOP-8-3mm RFカード破片の集積回路

M24LR04E-RDW6T/2 TSSOP-8-3mm RFカード破片の集積回路 記述:議定書:ISO 15693のISO 18000-3のインターフェイスの種類:I2Cの伝送速度:53Kbps電源電圧:1.8V~5.5V頻度:13.56MHz 指定 船積み:......
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China L9333MD-TR SOIC-20-300mil力の電子スイッチの集積回路 for sale

L9333MD-TR SOIC-20-300mil力の電子スイッチの集積回路

L9333MD-TR SOIC-20-300mil力の電子スイッチの集積回路 記述 L9333は単一統合されたクォードの低い側面である運転者。それはドライブ ライン、ランプまたはrelaisに意図されている自動車か産業適用。 指定 船積み: 1つ......
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China MJE3055T TO-220の補足のケイ素のプラスチック力トランジスター for sale

MJE3055T TO-220の補足のケイ素のプラスチック力トランジスター

MJE3055T TO-220の補足のケイ素のプラスチック力トランジスター 記述 10アンペア補足のケイ素力トランジスター− 60ボルトの75ワット 能力をの扱う力に2つの限定があるトランジスター:平均接合部温度および第2故障。安全運転区域のカーブはICの− VCEを......
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China SI4438-B1C-FMR RF力トランジスター-高性能の信頼できる出力 for sale

SI4438-B1C-FMR RF力トランジスター-高性能の信頼できる出力

SI4438-B1C-FMR RF力トランジスター プロダクト概観: SI4438-B1C-FMRは基地局、携帯ラジオおよび広帯域アンプを含む広い応用範囲の使用のために、設計されている高性能RF力トランジスターである。高利得および低雑音図を特色にして、この装置は出力電力の4......
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China SI4438-C2A-GMR RF力トランジスター-高性能の高性能 for sale

SI4438-C2A-GMR RF力トランジスター-高性能の高性能

SI4438-C2A-GMR RF力トランジスター 製品の機能: - RFの電力増幅器の塗布のための理想 - 高利得および効率 - 低いドライブ力 - 高周波操作 - 低い出力騒音 - 低いゆがみ - 広い温度較差 - 長期にわたる安定性 指定: - パッケージ:SM......
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China SI4355-B1A-FMR RF力トランジスター-高性能および信頼性 for sale

SI4355-B1A-FMR RF力トランジスター-高性能および信頼性

プロダクト リスト:SI4355-B1A-FMR RF力トランジスター 特徴: •高い発電の出力•低雑音図•高性能•広帯域操作•低いゆがみ•高い信頼性•迎合的なRoHS 指定:•周波数範囲:400のMHz - 2.7 GHz•出力電力:>20W•利益:>1......
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China SI4010-C2-GTR RF力トランジスター-高い発電の出力および安定性 for sale

SI4010-C2-GTR RF力トランジスター-高い発電の出力および安定性

SI4010-C2-GTR RF力トランジスター 製品の機能: •900のMHzから周波数範囲2.7 GHzの•2.4 GHzで出力電力10 W•30ボルトのわずかな下水管の電圧•2.4 GHzの6.8 dBの典型的な利益•2.4 GHzの56%の典型的な効率•険しく、信頼......
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China SI4703-C19-GMR RF力トランジスター-密集した高性能および信頼できる性能 for sale

SI4703-C19-GMR RF力トランジスター-密集した高性能および信頼できる性能

SI4703-C19-GMR RF力トランジスター 製品の説明: SI4703-C19-GMRはBiCMOS高圧プロセスを使用して設計されている高度RF力トランジスターである。この装置はHFおよびVHFバンドの強力な、高性能の、低雑音の適用のために適している。それは広......
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China SI4831-B30-GUR RF力トランジスター-高性能および信頼性 for sale

SI4831-B30-GUR RF力トランジスター-高性能および信頼性

SI4831-B30-GUR RF力トランジスター 製品の説明: SI4831-B30-GUR RF力トランジスターは細胞基地局および電気通信の下部組織のような適用の使用のために設計されている。このプロダクトは出力電力、利益、直線性および効率の点では優秀な性能を提供す......
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