スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........
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30P06D TO-252の高い発電のトランジスター、注文の電界効果トランジスタ 高い発電のトランジスター記述 30P06D使用高度の堀優秀なR DSを提供する技術()そして低いゲート充満。この装置はありますとしてまたは使用負荷スイッチのために適したPWMの適用。 高い発電のトラン.........
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IGBT力トランジスターSGL160N60UFD 600V 160A 250W UFDシリーズ ゲートの両極トランジスター 記述 フェアチャイルドのUFDの一連のInsulatedゲートの両極トランジスター(IGBTs)は低い伝導を提供する 転換の損失。UFDシリーズは運動制御および大将のよう.........
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2NチャネルIAUC60N04S6N031H 6力トランジスター8-PowerVDFN集積回路の破片 IAUC60N04S6N031Hの製品の説明 IAUC60N04S6N031Hは最大限に活用されたOptiMOS™6技術に基づいている。有価証券は3.0 mΩからの60Aの7.0 mΩそし.........
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ULN2003APWR高圧HIGH-CURRENTダーリントンのトランジスター配列テスト力トランジスター か。►500 mA評価されるコレクター流れ(単一の出力)か。 ►高圧出力… 50ボルトか。 ►出力クランプ ダイオードか。 ►さまざまなタイプの論理と互換性がある入力か。 ►.........
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高電子移動度窒化ガリウム 28V 15W RF パワー トランジスタ YP601241T 製品概要 Innotion の YP601241T は、最大 6000MHz の周波数で高効率、高利得、広帯域幅の機能を備えて特別に設計された、比類のない 15 ワットの窒化ガリウム (GaN) 高電子移.........
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東芝力トランジスター(MA-4400)が付いている3U 4 X 400W ABのクラスの電力増幅器 速い細部: Atopt大きい東芝のトランジスター、非常に完全な音 有効な冷却装置は、電力増幅器の安定性を保障します 古典的なプロダクト、良質 MAシリーズ電力増幅器 驚くべき性.........
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MJ13333 スイッチモードシリーズ 20AMPERE NPN シリコン電源トランジスタ 400- 500VOLTS 175WATTS カテゴリー トランジスタ Mfr モトロラー シリーズ - 部品のステータス - マウント.........
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IPG20N06S4L14AATMA1力トランジスターNチャネルMOSFET 40V 60V OptiMOS T2のパワー トランジスター 特徴 •二重N-channelの論理のレベル-強化モード •AEC Q101は修飾した •260°Cピークの退潮までのMSL1 •175.........
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プロダクト細部 包装皿部分の状態活動的トランジスター タイプPNP -ダーリントン現在-コレクター((最高) IC)30A電圧-コレクターのエミッターの故障(最高)120VVceの飽和(最高) @ Ib、IC4V @ 300mA、30A現在-コレクターの締切り(最高)1mADCの現在の利益(hFE)......
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電気オートバイ18のmosfets 35Aのコントローラー48-96vの工場のための輸入された力トランジスターは指示します 私達のコントローラーの指定 演劇をよくするためにはコントローラーの性能およびプロダクト安定性は、私達のコントローラーの使用すべて力トランジスターを輸入しました。 .........
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力:110V/220Vの50HZ/60HZサイズ:L430*W400*H420mmの速度:90pcs/Minは特色になる:棒によって詰められる力トランジスターか同じような部品のために最も適した;さまざまな種類の形成のための交換工具セット;交換を速くそして素早く保障する引出しのタイプ工具セット;容易な......
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NPN PNPのトランジスター テキサス・インスツルメント/TI BQ26100DRPR ECADモジュール PCBの足跡か記号を造るか、または要求しなさい 需要と供給の状態 バランス 公開市場の擬似脅威.........
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穴TO-264 (IXYK)を通したIXYK110N120A4 IGBT PT 1200 V 375 A 1360のWIXYSの堀650Vへの1200V XPT™ GenX4™ IGBTsIXYSの堀650Vへの1200V XPT™ GenX4™ IGBTsは専有XPTの薄ウエファーの技術および........
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