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4"ケイ素のエピタキシアル ウエファーの基質の厚さ525の± 25µm/抵抗0.002 - 0.003Ωcmの2つのエピタキシアル層
エピタキシアルまたは研究開発または大量生産のためのシリコンの薄片のEPIのウエファーPAM-XIAMENの習慣サービス。PAM-XIAMENは50mmから150mmまでウエファーの直径の単一の結晶EPIの層を処理する。エピタクシーは裸のウエファーまたは埋められた層、パターンまたは高度装置構造とのウエファーで提供される。エピタキシアル層の沈殿のために、どんなタイプEPIの層それをか沈殿させる方法を適用が定める前に要求するか定めることは重要である。Homoepitaxyは結晶のフィルムが基質と同じ材料と育つときである。Heteroepitaxyは基質より共通で、別の材料のなされる結晶のフィルムを育てる。タイプepiの層によって、それらが沈殿させることができること3つの違った方法がある。PAM-XIAMENは直径300mmまでが付いているエピタキシアル ウエファーを提供する。300mm EPIのウエファーが主に非常に統合された半導体の要素(IC)で使用される間、小さい直径はまた力の適用のために使用される。さまざまな条件を満たすためには、基質およびエピタキシアル層は顧客の指定に従って設計されている。
4"ケイ素のエピタキシアル ウエファーの基質の厚さ525の± 25µm/抵抗0.002 - 0.003Ωcmの2つのエピタキシアル層
4"ケイ素のエピタキシアル ウエファーの指定 | |
基質 | |
成長方法 | CZ |
直径 | 100つ+/- 0.5 mm |
オリエンテーション | <111> 4度 |
タイプ/添加物 | Pのタイプほう素は添加した |
抵抗 | 0.002 - 0.003 Ωcm |
前側 | 磨かれた-準備ができたEpi |
厚さ | 525 +/-25 μm |
裏側 | エッチングされる |
エピタキシアル層 | |
Epiの層1 | |
タイプ/添加物 | 添加されるNのタイプ リン |
抵抗 | 3.8の-5.2オームcm |
厚さ | 29.0 -35.0 um |
Epiの層2 | |
タイプ/添加物 | 添加されるNのタイプ リン |
抵抗 | < 0.0016 - 0.0024オームcm |
厚さ | 36.0 -44.0 um |
私達はケイ素のEpiの終了するウエファーにSRPを提供する |
ケイ素のepiのウエファーは何であるか。
エピタクシーは付加的なモノクリスタル ケイ素の層がシリコンの薄片の磨かれた水晶表面に沈殿するプロセスである。このプロセスは物質的な特性を磨かれた基質とは関係なく選び、従って基質およびエピタキシアル層で異なった特性があるウエファーを作成することを可能にする。多くの場合これは半導体の部品の機能に必要である。
PAM-XIAMENは技術を提供でき、ウエファー サポートは、より多くの情報のために、私達のウェブサイトを訪問する:https://www.powerwaywafer.com、
sales@powerwaywafer.comおよびpowerwaymaterial@gmail.comで私達に電子メールを送りなさい
質は私達の最優先である。PAM-XIAMENはずっとISO9001である:2008年は、私達の顧客の異なった必要性を満たすために修飾されたプロダクトの大きい範囲をかなり提供できるあらゆる順序は私達の厳密な品質システムを通して扱われなければならない4現代facoriesを所有し、共有し。テスト レポートは各郵送物に提供され、各ウエファーは保証である。1990年の前に、私達は示された所有された凝縮させた問題の物理学の研究所である。1990年に、中心はシアムンPowerwayの先端材料Co.、株式会社(PAM-XIAMEN)、今それをである中国の化合物半導体材料の一流の製造業者進水させた。