4インチのシリコンの薄片CZ Nのタイプ リンによって添加されるオリエンテーション100テスト等級4"テスト ウエファー

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PAM-XIAMENは高度の結晶成長およびエピタクシーの技術、シリコン基板からの化合物半導体、12"への1'からの直径が付いているPAM-XIAMENの提供の半導体のシリコン基板への範囲を『（25.4 mm） 『開発する（300のmm）。私達はどちらかのCz （Czochralski）またはFZ （浮遊物の地帯）のシリコン基板を働かせる。磨くプロセスはまた標準に従って半なされる（半導体装置および材料の国際規格）。私達はまたシリコン基板の超薄いウエファー、ケイ素酸化物のウエファーSiO2の薄膜、窒化珪素のウエファーSi3N4の薄膜、メタライゼーション、およびepiのウエファー サービスを働かせる。

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シリコンの薄片は何のために使用されるか。

シリコンの薄片の第一次使用は集積回路にある。集積回路は毎日現代社会の使用装置の多数に動力を与える。コンピュータおよびsmartphonesはこの技術に依存している装置のちょうど2つである。他の半導体が時間外でテストされてしまったが、ケイ素は安定した選択であると証明した。他の使用はセンサー、タイヤ空気圧 センサー システムのような、および太陽電池を含んでいる。シリコンの薄片は電気を作成するために日光およびこれの光子を次々と吸収する。

シリコンの薄片を捜しているか。

PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、半導体ウエハーのためのあなたの主力の場所、シリコンの薄片を含んでである!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達に照会を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー送りなさい。私達のグループのチームは技術サポートを与えることができる。sales@powerwaywafer.comかpowerwaymaterial@gmail.comで私達に電子メールを送りなさい

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は（PAM-XIAMEN）化合物半導体材料の統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業であり、そこにである2主要な分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にする:SiC&GaNの文書（SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー）およびIII-V材料（III-Vの基質およびepiサービス:INPウエファー、GaSbのウエファー、GaAsのウエファー、InAsのウエファーおよびInSbのウエファー）。私達のウエファーはLEDの半導体の照明、無線コミュニケーション、太陽エネルギー、赤外線装置、レーザーの探知器で広く利用されて、半導体力装置は、力装置、高温装置および光電装置を含んで、そこに、小型/マイクロLED、パワー エレクトロニクスおよびマイクロウェーブRFのためSiのGaNを含むGaNのウエファー、SiCのGaNおよびサファイアのGaNである。

一流の専門の会社として、私達は絶えず既存のプロダクトの質を改善することに努力している。PAM-XIAMENに大学院生で、医者構成される、強い技術的なR & Dのチームがマスターあり、強いR & Dの強さがある。会社の技術的な背骨は30yearsのための物質的な準備でおよび関連装置の設計および開発ほとんど従事して、材料、物質的な準備プロセスの身体検査の、化学および電気特性の詳細な研究がある。理論的な沈殿の多くの年および科学的な、科学技術の人員の実践経験の蓄積は関連した材料および装置の開発で会社の製品性能および装置の設計機構がユーザーの実際の技術的な、科学技術の必要性を満たすことを保障している間会社を持っている独特な洞察力および独特な利点を作る。