Pのタイプ、InAsの基質との（100）、（111の）オリエンテーション、3"、模造の等級

Pは、InAsの基質、3"、模造の等級タイプします

PAM-XIAMENは赤外線探知器、光起電フォトダイオード探知器、室温の低雑音かより強力な適用のダイオードのレーザーに単結晶のInAs （インジウムのヒ化物）のウエファーを提供します。直径4インチまで。インジウムのヒ化物の(InAs)の水晶は2つの要素、インジウムおよびヒ化物の液体によってCzochralski内部に閉じ込められる(LEC)方法またはVGF方法による成長によって形作られます。ガリウム砒素と同じようなInAsのウエファーis isは直接bandgap材料であり。

インジウムのヒ化物は時々リン化インジウムとともに使用されます。ガリウム砒素と合金にされてそれはインジウムのガリウム砒素-インジウム ガリウム窒化物をもたらすためにIn/Gaの比率のバンド ギャップの扶養家族が付いている材料、ガリウム窒化物が付いている合金になるインジウムの窒化物と同じような方法--を主に形作ります。PAM-XIAMENはあなたのMOCVD及びMBEのエピタキシアル適用にepiの準備ができた等級のInAsのウエファーを提供できます。より多くのウエファー情報のための私達のエンジニアのチームに連絡して下さい。

3" InAsのウエファーの指定

InAsテスト ウエファーは何ですか。

ほとんどのテスト ウエファーは主な指定から落ちたウエファーです。テスト ウエファーがマラソン、上限R & Dのための試験装置を動かすのに使用され。それらは頻繁にウエファーの発動を促す費用効果が大きい代わりです。

InAsのウエファーの光学的性質

3.75 µm < λのため< 33 µm
n = [11.1 + 0.71/（1-6.5·λ-2） + 2.75/（1-2085·λ-2） - 6·10-4·λ2）]1/2、
λがµn （K） 300の波長であるところ
 

基底状態のRydbergエネルギーRX1= 3.5 MEV

InAsのウエファーを捜していますか。

PAM-XIAMENは私達がずっとほぼ30年間それをしているように、すべてのためのあなたの主力の場所ウエファー、InAsのウエファーを含んでです!詳細を私達が提供する、そしていかにについての学ぶために私達を私達があなたの次のプロジェクトとの助けてもいいウエファー今日尋ねて下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!

限られるシアムンPowerwayの先端材料Co.は（PAM-XIAMEN）化合物半導体材料の統合の半導体の結晶成長、プロセス開発およびエピタクシーのためのハイテクな企業であり、そこにである2主要な分野化合物半導体のウエファーの研究そして生産を専門にする:SiC&GaNの文書（SiCのウエファーおよびエピタクシー、GaNのウエファーおよびepiのウエファー）およびIII-V材料（III-Vの基質およびepiサービス:INPウエファー、GaSbのウエファー、GaAsのウエファー、InAsのウエファーおよびInSbのウエファー）。私達のウエファーはLEDの半導体の照明、無線コミュニケーション、太陽エネルギー、赤外線装置、レーザーの探知器で広く利用されて、半導体力装置は、力装置、高温装置および光電装置を含んで、そこに、小型/マイクロLED、パワー エレクトロニクスおよびマイクロウェーブRFのためSiのGaNを含むGaNのウエファー、SiCのGaNおよびサファイアのGaNである。

一流の専門の会社として、私達は絶えず既存のプロダクトの質を改善することに努力している。PAM-XIAMENに大学院生で、医者構成される、強い技術的なR & Dのチームがマスターあり、強いR & Dの強さがある。会社の技術的な背骨は30yearsのための物質的な準備でおよび関連装置の設計および開発ほとんど従事して、材料、物質的な準備プロセスの身体検査の、化学および電気特性の詳細な研究がある。理論的な沈殿の多くの年および科学的な、科学技術の人員の実践経験の蓄積は関連した材料および装置の開発で会社の製品性能および装置の設計機構がユーザーの実際の技術的な、科学技術の必要性を満たすことを保障している間会社を持っている独特な洞察力および独特な利点を作る。