Pのタイプ、リン化インジウムのウエファー、4"、テスト等級- INPウエファーの製造業
Brand Name:PAM-XIAMEN
Minimum Order Quantity:1-10,000pcs
Delivery Time:5-50 working days
Payment Terms:T/T
Place of Origin:China
Supply Ability:10,000 wafers/month
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Xiamen Fujian China
住所：
#506BのHenghuiの繁華街、No.77のLingxiaナンの道、ハイテクの地帯、Huli、シアムン361006、中国
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製品詳細
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Pは、リン化インジウムのウエファー、4"、テスト等級タイプします
PAM-XIAMENは直径のマイクロエレクトロニックの（HBT/HEMT）および光電子工学の企業（LED/DWDM/PIN/VCSELs）に単結晶INP （リン化インジウム）ウエファーを6インチまで提供します。リン化インジウムの(InP)の水晶は2つの要素、インジウムおよびリン化物の液体によってCzochralski内部に閉じ込められる(LEC)方法またはVGF方法による成長によって形作られます。INPウエファーは重要な半導体材料優秀な電気および熱特性がある、INPウエファー持っていますより高い電子移動度、より高い頻度、低い電力の消費、より高い熱伝導性および低雑音の性能をです。PAM-XIAMENはあなたのMOCVD及びMBEのエピタキシアル適用にepiの準備ができた等級INPウエファーを提供できます。
より多くのウエファー情報のための私達のエンジニアのチームに連絡して下さい。
Pは、リン化インジウムのウエファー、4"、テスト等級タイプします
| 4" INPウエファーの指定 | ||||
| 項目 | 指定 | |||
| 伝導のタイプ | Pタイプ | |||
| 添加物 | 亜鉛 | |||
| ウエファーの直径 | 4" | |||
| ウエファーのオリエンテーション | 100±0.5° | |||
| ウエファーの厚さ | 600±25um | |||
| 第一次平らな長さ | 16±2mm | |||
| 二次平らな長さ | 8±1mm | |||
| キャリア集中 | ≤3x1016cm-3 | （0.8-6） x1018cm-3 | （0.6-6） x1018cm-3 | N/A |
| 移動性 | （3.5-4） x103cm2/V.s | （1.5-3.5） x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| 抵抗 | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ω.cm |
| EPD | <1000cm-2 | <1x103cm-2 | <1x103cm-2 | <5x103cm-2 |
| TTV | <15um | |||
| 弓 | <15um | |||
| ゆがみ | <15um | |||
| レーザーの印 | 要望に応じて | |||
| Sufaceの終わり | 、P/P P/E | |||
| 準備ができたEpi | はい | |||
| パッケージ | 単一のウエファー容器かカセット | |||
リン化インジウムの事実
- リン化インジウム(InP)はリンおよびインジウムを含み、二進半導体です。
- それにGaAsおよびほとんどすべてのIII-Vの半導体と同じようなzincblendeの結晶構造があります。
- よる優秀な電子速度が高周波および強力な電子工学で使用されるかどれをにそれにあります。
- それに多くの半導体とは違う直接bandgapが、あります。
- リン化インジウムはまた光電子工学装置のために基質として使用されます。
- 分子量:145.792 g/mol
- 融点:1062の°C （1943.6 °F）
- それは高速か高い発電を要求する事実上あらゆる電子デバイスに使用することができます。
- それにzincblendeの結晶構造が付いている混合物の長住まれていた光学音量子の1つがあります。
- INPは電子的形態に戻ってレーザー信号および検出の生成およびそれらの信号の転換のための最も重要な材料です。
| INPの電子漂流速度の依存、300 K.の守備について下さい。 固体カーブは理論的な計算です。 紛砕され、点を打たれたカーブは測定されたデータです。 （MaloneyおよびFrey [1977年]）および（Gonzalezサンチェスの 等[1992年]）。 | |
| 高い電界のための電子漂流速度の分野の依存。 T （K）:1. 95;2. 300;3. 400。 （Windhornの の等 [1983年]）。 | |
| 異なった温度で電子漂流速度の依存の守備について下さい。 1 -77 K （Gonzalezサンチェスの の等 [1992年]）曲げて下さい。 カーブ2 - 300 K、3つ曲げて下さい- 500 Kを（FawcettおよびHill [1975年]）。 | |
| 電子温度対77 Kおよび300 K.のための電界。 （MaloneyおよびFrey [1977年]） | |
| 電界の機能としてLおよびXの谷nL/noおよびnX/no、300 K.の電子の一部分。 （BorodovskiiおよびOsadchii [1987年]）。 | |
| 効率のηの最初は（実線）そしてLSAモードの第2 （破線の）倍音の頻度依存。 モンテ カルロのシミュレーション。 F = Fo + F1·罪（2π·ft） + F2·[罪（4π·ft） +3π/2]、 Fo=F1=35 kV cm-1、 F2=10.5 kV cm-1 （BorodovskiiおよびOsadchii [1987年]）。 | |
| 縦方向（D||F）および横断（300 K.のDの⊥ F）の電子拡散係数。 アンサンブルのモンテ カルロのシミュレーション。 （Aishimaおよび福島[1983年]）。 | |
| 縦方向（D||F）および横断（77KのDの⊥ F）の電子拡散係数。 アンサンブルのモンテ カルロのシミュレーション。 （Aishimaおよび福島[1983年]）。 |
電気通信/データ通信の適用
それが直接bandgap III-Vの化合物半導体材料であるのでリン化インジウム(InP)が普通テレコミュニケーション、すなわち、1550のnmの波長に使用する波長の窓の有効なレーザー、敏感なフォトディテクターおよび変調器を作り出すのに使用されています。約1510 nmと1600 nm間の波長に光ファイバー（約0.26 dB/km）で利用できる最も低い減少があります。INPは電子的形態に戻ってレーザー信号および検出の生成およびそれらの信号の転換のための一般的な材料です。ウエファーの直径は2-4インチから及びます。
適用は次のとおりです:
•遠距離上の長距離貨物輸送の光ファイバー関係5000までのkm普通>10 Tbit/s
•地下鉄リング アクセス ネットワーク
•会社ネットワークおよびデータ センタ
•家への繊維
•無線3G、LTEおよび5G基地局への関係
•自由空間の衛星通信
INP基質を捜していますか。
PAM-XIAMENはすべての異なった種類のプロジェクトのためのリン化インジウムの基質を提供して自慢しています。INPウエファーを捜したら、学ぶために私達に照会をあなたがあなたの次のプロジェクトのために必要とするINPウエファーを得るために私達がいかにについてのあなたと働いてもいいか詳細を今日送って下さい。私達のグループのチームはあなたに両方良質品および優秀なサービスを提供することを楽しみにしています!
Pのタイプ、リン化インジウムのウエファー、4"、テスト等級- INPウエファーの製造業
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