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包装 | テープ及び巻き枠(TR) | |
---|---|---|
部分の状態 | 活動的 | |
FETのタイプ | N-Channel | |
技術 | MOSFET (金属酸化物) | |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 50V | |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 200mA (Ta) | |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 5V | |
(最高) @ ID、VgsのRds | 3.5Ohm @ 200mA、5V | |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 1.5V @ 1mA | |
Vgs (最高) | ±20V | |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V | |
FETの特徴 | - | |
電力損失(最高) | 225mW (Ta) | |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) | |
タイプの取付け | 表面の台紙 | |
製造者装置パッケージ | SOT-23-3 (TO-236) |