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トランジスタ 25a

1 - 19 の結果 トランジスタ 25a から 19 製品

AP25N10X Mosfet力トランジスター25A 100V TO-252 SOP-8 DC-DCコンバーター Mosfet力トランジスター記述: AP25N10Xの使用高度VDほとんどの技術への低いRDS ()、低いゲート充満、速い切換えを提供して下さいこの装置は特によりよい険し.........

Time : May,30,2024
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BTA24-800BWのトランジスター25Aトライアック 記述 利用できる表面のどちらかのによ穴およびT25はパッケージを、BTA/BTB24-25-26 triacseries一般目的の交流電力のために適しています取付けます 転換。それらは静的なリレー.........

Time : May,30,2024
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BTA24-800BWのトランジスター25Aトライアック 記述 表面およびT25台紙のパッケージのによ穴で利用できる、BTA/BTB24-25-26 triacseriesは一般目的の交流電力のために適している 切換え。それらは静的なリレーのような適用でとして給湯装置、回路を始.........

Time : Dec,01,2024
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プロダクト細部 部門分離した半導体製品単一トランジスター- (BJT)両極-製造業者STMicroelectronics特色にされたプロダクト力の両極トランジスター包装 管 部分の状態活動的トランジスター タイプPNP現在-コレクター((最高) IC)25A電圧-コレクターのエミッターの故障(最高)......

Time : Dec,02,2024
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IKW25N120T2,1200 V、25 TO-247パッケージのanti-parallelダイオードと分離したIGBT 絶縁されたゲートの両極トランジスターIKW25N120T2 K25T1202 1200V 25A Igbtトランジスター 記述 1200ボルト、25 TO-247パッ.........

Time : Nov,28,2024
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穴IGBTのトランジスター低損失のDuoPack 1200V 25Aを通したIKW25T120 ●およそ1.0VはVCEを(坐った)減らし、0.5VはBUP314Dと比較されたVFを減らした ●短絡はタイムの10sに抗する ●のために設計されている:-頻度コンバーター-途切れない.........

Time : Dec,09,2024
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FGA25N120ANTD # TO-3P NPTの堀IGBT 25A 1200V 特徴 •NPTの堀の技術、肯定的な温度係数 •低い飽和電圧:VCE (坐った)、タイプ= 2.0V @ IC = 25AおよびTC = 25°C •低い転換の損失:Eoffのタイプ= 0.96.........

Time : May,30,2024
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RD100HHF1 MOSFETのタイプ トランジスターはHFの高い発電のアンプの塗布のためにとりわけ設計しました 特徴 •高い発電および高利得:Pout>100W、Gp>11.5dB @Vdd=12.5V、f=30MHz •高性能:60%typ.on HFバンド 適用 HFバンド移動式無線送受信機......

Time : Nov,03,2023
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自動車IGBTモジュールFP15R12KE3GBPSA1 1200V 25Aのトランジスター シャーシの台紙 FP15R12KE3GBPSA1の製品の説明FP15R12KE3GBPSA1モジュールは堀/fieldstop IGBT4およびPressFIT/NTC/TIMの4つのエミッター制御のダ........

Time : Apr,21,2025
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FDD 86381 - F085 MOSFETのパワー エレクトロニクス TO-252-3スイッチング・トランジスタの高い現在の高圧塗布 FETのタイプ N-Channel......

Time : Nov,30,2024
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Time : Sep,03,2024
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SI7272DP-T1-GE3指定 部分の状態 活動的 FETのタイプ 2...

Time : Nov,26,2024
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様式を取付けるIPD25N06S4L 30 25A 60V NチャネルMosfet SMD SMT 25A 60V MOSFETスクリーン4N06L30NチャネルDPAK-2のOptiMOS T2に252 IPD25N06S4L-30 Fetパッチ 製品特質.........

Time : Nov,25,2024
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BUK9Y29-40E MOSFET N-CH 40V 25A LFPAK56 部門 分離した半導体製品 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - Mfr Nexperia USA Inc。...

Time : Nov,27,2024
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FGA25N120ANT FGA25N120ANTD 1200 V、25 NPTの堀IGBTFGA25N120ANTの購入の賛否両論:あなたの投資の価値を持ってそれはあるか。 強力のおよび有効な電子工学の部品捜せば、FGA25N120ANTはちょうど必要とするものであるかもしれない。この高性.........

Time : Nov,30,2024
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高い発電MOSFET EFC4K105NUZの二重N-Channel力MOSFET 22V、25A、3.55mΩ [だれ私達があるか。] 太陽光線の電子工学(香港)のCo.株式会社新しいのの販売を半導体の調達および電子部品販売の焦点および10年にわたる顧客のためのサ.........

Time : Nov,24,2024
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Time : Sep,04,2023
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直接電気自転車9 mosfet 17-25 Aのコントローラー36-72 vの工場のため 私達のコントローラーの指定 演劇をよくするためにはコントローラーの性能およびプロダクト安定性は、私達のコントローラーの使用すべて力トランジスターを輸入しました。 電圧.........

Time : May,29,2024
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