LND150K1-Gの高い発電MOSFETはパワーエレクトロニクスの適用FETsを進めた

型式番号:LND150K1-G

原産地:原物

最低順序量:1

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製品詳細

LND 150K1- Gの高い発電MOSFETはパワーエレクトロニクスの適用FETsを進めた

LND150K1-G力MOSFET

製品の説明:

LND150K1-G力MOSFETは優秀な転換の性能および低いオン州の抵抗を提供するように設計されている高性能装置である。DC-DCのコンバーター、モーターコントローラーおよび力の管理システムのような高い発電の適用の条件を満たすことを設計する。装置はこれらの適用の高性能を可能にする低境界の電圧を特色にする。それはまた改善された信頼性のための低いゲート充満、低いゲート源キャパシタンスおよび統合された早く回復ダイオードを特色にする。

プロダクト変数:

•下水管源の電圧:600V
•ゲート源の電圧:± 20V
•現在を流出させなさい:150A
•オン州の抵抗:0.0025Ω
•境界の電圧:2.5V
•電力損失:350W
•実用温度範囲:-55°Cへの175°C

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