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Shenzhen Sai Collie Technology Co., Ltd.
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プログラム可能なICの破片 (706)
集積回路ICの破片 (831)
MCUのマイクロ制御回路単位 (683)
電子部品ICの破片 (627)
フラッシュ・メモリの破片 (655)
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LND150K1-Gの高い発電MOSFETはパワー エレクトロニクスの適用FETsを進めた
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プログラム可能なICの破片
[706]
集積回路ICの破片
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LND150K1-Gの高い発電MOSFETはパワー エレクトロニクスの適用FETsを進めた
製品の詳細
LND 150K1- Gの高い発電MOSFETはパワー エレクトロニクスの適用FETsを進めた LND150K1-G力MOSFET 製品の説明: LND150K1-G力MOSFETは優秀な転換の性能および低いオン州の抵抗を提供するように設計されている高性能装置である。DC-DCのコンバーター、モータ...
製品詳細図 →
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高電流IGBT
高電圧IGBT
高性能IGBT
