高電流IGBT

CM900HC-90H 900V 900A 高電流 IGBT モジュール 低 VCE (sat) 2.7V 高短回路強度 低スイッチ損失 高隔離 重量産業ドライブとメガUPS 特徴 メガワット級の超高電流IGBTモジュール 定位電圧/電流:900V / 900A 最先端のIGBTとダ.........

IRGP 4062 DPBF IGBTモジュールの産業適用のための高性能のHigh-Currentおよび信頼できる力モジュール プロダクト リスト: IRGP4062DPBF IGBT力モジュール 特徴:•1200V/62A/75mOhm IGBT•低い飽和電圧•低いEMIの騒音•.........

IXYSのサイリスタのダイオード モジュールMDD44-16N1Bの高い発電IGBTモジュール 電子部品の分離した半導体モジュール段階の足 特徴/利点 陶磁器DCBが付いているパッケージ 改善された温度および力の循環 平面の不動態化された破片 非常に低く前方電圧低下 非常に.........

FF300R12KE4高い発電のIgbtモジュールN-CH 1200V 460A IGBTインバーターIGBTモジュール 適用 運動制御およびドライブ 無停電電源装置（UPS） 指定 製品特質 属性値 製造業者: Infineon.........

高い現在の低い内部抵抗のBSC011N03LSI IGBT力モジュール 高い現在および低い内部抵抗のBSC011N03LSI Mosfet TDSON-8 製品特質 属性値 類似した調査 製造業者: Infineon.........

UHCT0600A 工業級保護 高電流探査機 0.6kA ピーク適応 IGBT スイッチ解析 1高電流測定:ピーク電流0.6kA,電力および工業用高電流シナリオのために設計されています. 2高周波応答50MHz:半導体装置のスイッチ損失分析をサポートする. 3.高ダイ/dt能力 40A/ns:.........

FF200R17KE4HOSA1 SP000713374 Infineon IGBTモジュールIGBTモジュール200A 1700Vの高い発電 FF200R17KE4 製造業者:Infineon製品タイプ:IGBTモジュール構成:二重Collector-emitterの最高の電圧.........

IXGR40N60C2D1 HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM C2クラスの高速IGBTs IGBTのタイプ PT 電圧-コレクターのエミッターの故障（最高） 600V 現在-コレクター（（最高） IC） 56A 現在-コレクターは脈打ちました（Icm） 200A Vce （......

IXGH24N170IXYS高電圧IGBTIXGH24 IGBT 1700V 50A 250WTO247ADディスクリート半導体製品 仕様：高電圧IGBT NPT 1700 V 50 A 250WスルーホールTO-247AD 部品番号......

HCPL-314J 0.4 Amp 出力電流 IGBT ゲート ドライブ フォトカプラ高周波整流ダイオード 特徴 • 0.4Aの最小ピーク出力電流 ・高速応答：Max.0.7μs。温度に対する伝播遅延範囲 • 超高 CMR: 最小。VCM = 1.5 kVで10 kV/μs.........

HCPL-314J 0.4 Ampの出力電流IGBTのゲート ドライブ オプトカプラー高周波整流器ダイオード 特徴 •0.4最低のピーク出力の流れ •高速応答:最高0.7のµs。臨時雇用者上の伝搬遅延。範囲 •超高いCMR:Min. 10 kV/µsのVCM = 1.5 kV •B.........