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シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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Mosの電界効果トランジスタ

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 Mosの電界効果トランジスタ
China 60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料 for sale

60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料

60V NチャネルAlphaSGT HXY4264 プロダクト概要 VDS 60V ID （VGS=10Vで） 13.5A RDS （） （VGS=10Vで） < 9=""> RDS
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China AlphaSGT HXY4266 Mosの電界効果トランジスタ60vの論理のレベルのゲート ドライブ for sale

AlphaSGT HXY4266 Mosの電界効果トランジスタ60vの論理のレベルのゲート ドライブ

60V NチャネルAlphaSGT HXY4266 プロダクト概要 VDS 60V ID （VGS=10Vで） 11A RDS （） （VGS=10Vで） < 13=""> RDS （）
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China HXY4404 Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満 for sale

HXY4404 Mosの電界効果トランジスタの転換の適用のための低いゲート充満

60V NチャネルAlphaSGT HXY4264 プロダクト概要 VDS 30V ID （VGS=10Vで） 8.5A RDS （） （VGS=10Vで） < 24m=""> RD
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China HXY4406A VDS 30V Mosの電界効果トランジスタID 13A RDS （） < 11.5mΩ for sale

HXY4406A VDS 30V Mosの電界効果トランジスタID 13A RDS （） < 11.5mΩ

60V NチャネルAlphaSGT HXY4264 プロダクト概要 VDS 30V ID （VGS=10Vで） 13A RDS （） （VGS=10Vで） < 11=""> RDS
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China 携帯用適用のためのHXY4410 Nのタイプ トランジスター負荷切換え for sale

携帯用適用のためのHXY4410 Nのタイプ トランジスター負荷切換え

60V NチャネルAlphaSGT HXY4264 プロダクト概要 VDS （v） = 30V I = 18A D RDS （） 11mのΩ （VGS = 10V） RDS（）< 19m=""> GS = 4.5V） 概説 HXY4410使用......
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China 低雑音HXY4466 30V Mosの電界効果トランジスタNチャネルVGS 10V for sale

低雑音HXY4466 30V Mosの電界効果トランジスタNチャネルVGS 10V

60V NチャネルAlphaSGT HXY4264 プロダクト概要 VDS 30V I = 10A VGS = 10V） RDS （） < 23m=""> （VGS = 10V） RDS
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China HXY2300 Mosfet力トランジスター、電界効果トランジスタは切換え絶食します for sale

HXY2300 Mosfet力トランジスター、電界効果トランジスタは切換え絶食します

SOT-23はMOSFETS HXY2300をプラスチック内部に閉じ込めます プロダクト概要 VDSS= RDS （） V ID= 32のmΩ@ 4.5V 5.0 A < VGS="z" RDS=""> 適用 携帯用適用のためのz DC......
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China HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V （D-S） MOSFET for sale

HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V （D-S） MOSFET

SOT-23はMOSFETS HXY2302Z Nチャネル20-V （D-S） MOSFETをプラスチック内部に閉じ込めます プロダクト概要 RDS （） RDS （） ID=2.3A VDSS=20V 最高の評価（通知がなければTa=25℃） ......
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China 11A Mosfet力トランジスター、高い発電のトランジスター高周波切換え for sale

11A Mosfet力トランジスター、高い発電のトランジスター高周波切換え

60V NチャネルAlphaSGT HXY4266 プロダクト概要 VDSS= V ID= 3.6 A 30 z RDS （） < m=""> z RDS （） < m=""> 特徴 TrenchFET力MOSFET 適用 ......
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China 内部に閉じ込められるHXY2308 NチャネルMosの電界効果トランジスタSOT-23のプラスチック for sale

内部に閉じ込められるHXY2308 NチャネルMosの電界効果トランジスタSOT-23のプラスチック

SOT-23はMOSFETS HXY2308 NチャネルMOSFETをプラスチック内部に閉じ込めます プロダクト概要 VDSS= V ID= 3.0 A 60 RDS （） 120mΩ@ 10 V < VGS="......
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