シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料

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省/州:guangdong
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60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料

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原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :HXY4264
製品名 :mosfet 力トランジスター
接合部温度 :150 ℃
材質 :シリコン
ボックス :テープ/皿/巻き枠
タイプ :Mosfet のトランジスター
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60V NチャネルAlphaSGT HXY4264
 

 

プロダクト概要

 

 

VDS 60V
ID (VGS=10Vで) 13.5A
RDS () (VGS=10Vで) < 9="">
RDS () (VGS=4.5Vで) < 13="">

 

 

概説

 

堀力のAlphaSGTTMの技術

低いRDS()

低いゲート充満

 

 

適用

 

高性能の電源

二次synchronusの整流器

 

 

60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料

 

電気特徴(通知がなければT =25°C)

60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料

 

 

A.RのθJAの価値は2ozの1in2 FR-4板に取付けられる装置によって測定されます。TA =25°C.の静かな空気環境で、銅張りにして下さい

ある特定の適用の価値はユーザーの特定の板設計によって決まります。

B.電力損失PDはTJ(MAX)に≤ 10sの接続点に包囲された熱抵抗を使用して=150°C、基づいています。

C.反復的な評価、接合部温度TJ(MAX) =150°C.の評価によって限られる低頻度および使用率に保つために脈拍幅は基づいています

initialT =25°C。

D.RのθJAはRのθJLを導き、包囲されたに導くべき接続点からの熱インピーダンスの合計です。

E.図1に6の静特性はを使用して得られます <300>

F.これらのカーブは1in2 FR-4板に取付けられる装置によって測定される接続点に包囲された熱インピーダンスに基づいています

2oz.、TJ(MAX)の最高の接合部温度が=150°C. SOAのカーブ単一の脈拍の評価を提供することを仮定します銅張りにしま。

G.最高スパイクの使用率5% =125°C.接合部温度TJ (MAX)によって限られた。

 

典型的な電気および熱特徴

 

60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料60V Mosの電界効果トランジスタNチャネルのAlphaSGT HXY4264のケイ素材料

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