シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V (D-S) MOSFET

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V (D-S) MOSFET

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原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :HXY2302Z
製品名 :mosfet 力トランジスター
力 Mosfet のトランジスター :SOT-23はプラスチック内部に閉じ込めます
して、TJ :150 ℃
RDS () < 23mΩ :(VGS = 10V)
タイプ :Mosfet のトランジスター
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SOT-23はMOSFETS HXY2302Z Nチャネル20-V (D-S) MOSFETをプラスチック内部に閉じ込めます

 

 

プロダクト概要

 
RDS ()<60m>
RDS ()<73m>
ID=2.3A
VDSS=20V
 
 
最高の評価(通知がなければTa=25℃)
 
HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V (D-S) MOSFET
 
 
T =25 ℃他に特に規定がなければ
 
HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V (D-S) MOSFET
 
典型的な特徴
 
 
HXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V (D-S) MOSFETHXY2302Z Mosの電界効果トランジスタNチャネル20-V (D-S) MOSFET
 
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