ハイテクな光電子工学Co.、株式会社

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半導体レーザーを缶詰にするため

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 半導体レーザーを缶詰にするため

Pulse TO 7ワット氏はYAGおよび照明のための半導体レーザーの高性能できる

808nm波長は脈拍TO-56が単一のエミッターのダイオード レーザーHTOE LDMP-0808-007W-*5を包んだ7ワット氏TO-56によって包まれる半導体レーザーである。レーザーは830nm波長で氏の脈拍の7ワットの光学力を出す。LDMP-0808-007W-*5は平らな窓が付いている標準...
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取付けられた多重モードの半導体レーザーの適用範囲が広い5ワットの半導体レーザーへの標準

830 nmは5ワット単一のエミッターのダイオード レーザーHTOE LDMのシリーズによって包まれる単一のエミッターを包む出力電力氏の脈拍Quantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づくFabry Perotキャビティ半導体のレーザーである。標準的な選択は635nm、650nm...
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半導体レーザーの産業視準を正された半導体レーザーモジュールを缶詰にする高い信頼性

PDが付いている単一のエミッターのダイオード レーザーを包む1ワット出力電力9mmはQuantumよのエピタクシーに基づき、リッジ導波管の構造の設計、HTOE LDMのシリーズによって包まれる単一のエミッターのダイオードはFabry Perotキャビティ半導体のレーザーである。LDMのシリーズによっ...
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980 Nmによって包まれたPINの高い発電は単一のエミッター缶に半導体レーザーの脈打ちました

980 nmは単一のエミッターのダイオード レーザーを包むために半導体レーザー、氏の脈拍を包みました LDMP-0980-005W-*4シリーズによって包まれる単一のエミッターはQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づくFabry Perotキャビティ半導体のレーザー......
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半導体レーザーのフラット キャップのリッジ導波管の構造の設計を缶詰にする単一のエミッター

500mのワットの単一のエミッターのダイオード レーザー、(フラット キャップ)半導体レーザーの単一のエミッターのダイオード レーザーを包む980 nmはレーザ光線がダイオードの接続点で作成される発光ダイオードと同じような半導体デバイスである。電圧によって運転されて、半導体レーザーは......
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半導体レーザー高い電気光学のEffiencyを取付けるコンパクト デザイン

808nm、出力電力900mW TO-9はFAC HTOE LDMA-0808-900m-A3の半導体レーザーをである808nmの放出波長および900mW (CW)の標準的な光熱出力を提供する非常に能率的な半導体の半導体レーザー包んだ。LDMA-0808-900m-A3はTO-9パッケージを、......
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半導体レーザー1Wの出力電力標準的なTO-9パッケージを缶詰にする808nm波長

808nm波長、1W PD HTOE LDMA-0808-001W-83の出力電力TO-9パッケージの半導体レーザーはフォトダイオード(PD)が付いているTO-9によって包まれる半導体レーザーである。レーザーは808nm波長でCWモードの1W光学力を出す。LDMA-0808-001W-83は平らな窓...
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低い電力の多重モードの半導体レーザーの高い発電は光学臨時雇用者の範囲半導体レーザーの脈打ちました

808nm波長、1W半導体レーザー、TO-9は単一のエミッターのダイオード レーザーを包みましたHTOEのLDMA-0808-001W-73は高性能多数の横断モードFabry Perotの半導体レーザーです。レーザーは808nm波長でCWモードの1W光学力を出します。LDMA-0808-001W-7...
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半導体レーザー808nm 450mWの出力電力高性能を缶詰にする赤外線IR

808nm、出力電力500mW TO-9はFAC HTOE LDMA-0808-450m-A2の半導体レーザーをである808nmの放出波長および450mW (CW)の標準的な光熱出力を提供する非常に能率的な半導体の半導体レーザー包んだ。LDMA-0808-500m-A2はTO-9パッケージを、......
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穴のパッケージのタイプを通して半導体レーザーを取付ける500mのワットの単一モード

808nm波長、500mW PD HTOE LDMA-0808-500m-82の出力電力TO-9パッケージの半導体レーザーはフォトダイオード(PD)が付いているTO-9によって包まれる半導体レーザーである。レーザーは808nm波長でCWモードの500mW光学力を出す。LDMA-0808-500m.....
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