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500mのワットの単一のエミッターのダイオード レーザー、パッケージ（フラット キャップ）の半導体レーザーへの980 nm
単一のエミッターのダイオード レーザーはレーザ光線がダイオードの接続点で作成される発光ダイオードと同じような半導体デバイスです。電圧によって運転されて、半導体レーザーはライトに直接電気エネルギーを変えることができます。
タイプLDM-0980-500m-*2によって包まれる単一のエミッターはQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づくFabry Perotキャビティ半導体のレーザーです。9mmは平らな窓が付いているパッケージに、HTOEのLDM-0980-500m-*2によって包まれる半導体レーザー優秀な信頼性および性能を提供します。
特徴
変数（20℃）
| 包まれるTOØ9はエミッターを選抜します | |||||
| 項目 | 変数 | 単位 | LDM-0980-500m-*2 | ||
| 最少。 | 典型的 | 最高。 | |||
| 電気変数 | 出力電力 | MW | - | 500 | - |
| Lasingの波長 | nm | 970 | 980 | 990 | |
| 分光幅 | nm | - | 1.2 | 2.5 | |
| 区域の幅を出すこと | µm | - | 50 | - | |
| 温度係数 | nm/℃ | - | 0.30 | - | |
| 速い軸線の発散 | deg | - | 34 | 38 | |
| 遅い軸線の発散 | deg | - | 7 | 10 | |
| 光学変数 | 斜面の効率 | W/A | 0.90 | - | - |
| 境界の流れ | A | - | 0.11 | 0.15 | |
| 動作電流 | A | - | 0.59 | 0.70 | |
| 操作電圧 | V | - | 1.65 | 2.00 | |
| 他 | パッケージ | - | TOØ9 | ||
| 実用温度 | ℃ | 10 | 50 | |||
| 保管温度 | ℃ | -10 | 60 | |||
パッケージ情報
TOØ9パッケージ
機能カーブ
P-I-Vのカーブの分光カーブ
通知
安全のアドバイス
このタイプの半導体レーザーは産業電子部品産業適用、遺言、実験室、DIYのために使用されてであり。
レーザ光線のゆとりを作るためにレンズをきれい明るい保てば。あるレーザーDIYの活動を続けていく前に、技術情報について最初に読み、レーザー光線の前にあなたの目を保護して下さい。オペレータは光学DIYかテストで経験があることをことを確かめて下さい。