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830 nm 5ワット単一のエミッターのダイオード レーザーを包む出力電力氏の脈拍
HTOE LDMのシリーズによって包まれる単一のエミッターはQuantumよのエピタクシーおよびリッジ導波管の構造の設計に基づくFabry Perotキャビティ半導体のレーザーです。標準的な選択は台紙、Cosの台紙、C台紙およびF台紙に包まれる635nm、650nm、670nm、785nm、808nm、830nm、915nm、940nm、980nmおよび1064のnmの中心の波長の単一のエミッターです。HTOEによって包まれる単一のエミッターのダイオードは顧客需要に従って早く軸線の圧縮のようなサービスを形づけるビームの提供によって優秀な信頼性および性能を提供します。
HTOE LDMP-0830-005W-*4はTO-56によって包まれる半導体レーザーです。レーザーは830nm波長で5ワットの光学力を出します。LDMP-0830-005W-*4は平らな窓が付いている標準的なTO-56パッケージによって密封されます。高い信頼できる操作および狭い出る幅150µm、LDMP-0830-005W-*4特色にされ、寄与されるですNdをポンプでくむために理想的良質のレーザ光線、それと作動することを割り当てます:YAGおよび照明の適用。
特徴
変数（20℃）
| 包まれるTOØ56はエミッターを選抜します | |||||
| 項目 | 変数 | 単位 | LDMP-0830-005W-*4 | ||
| 最少。 | 典型的 | 最高。 | |||
| 光学変数 | 出力電力 | W | - | 5 （氏の脈拍） | - |
| Lasingの波長 | nm | 820 | 830 | 840 | |
| 分光幅 | nm | - | 1.80 | 3.00 | |
| 区域の幅を出すこと | µm | - | 150 | - | |
| 温度係数 | nm/℃ | - | 0.3 | - | |
| 速い軸線の発散 | deg （cw5w） | - | 30 | 40 | |
| 遅い軸線の発散 | deg （cw5w） | - | 5 | 10 | |
| 脈拍幅 | 氏 | 0 | 10 | - | |
| 脈拍の頻度 | Hz | 0 | 10 | - | |
| 電気変数 | 斜面の効率 | W/A | 1.05 | 1.10 | - |
| 境界の流れ | A | - | 0.50 | 1.00 | |
| 動作電流 | A | - | 4.90 | 5.30 | |
| 操作電圧 | V | - | 2.50 | 3.00 | |
| 他 | パッケージ | - | TOØ56 | ||
| 実用温度 | ℃ | 10 | 50 | |||
| 保管温度 | ℃ | -10 | 60 | |||
パッケージ情報
TOØ56パッケージ
機能カーブ
P-I-Vのカーブ
通知
1. 項目モデル通知:LDMP （項目モデル）、0830 （中心の波長）、005W （出力電力）、*4 （脱熱器構造および項目幅）。
2. シートのデータはすべて10ms 10Hzの脈拍の条件の下のTOØ56 （ソケット、capless）パッケージのテストに基づいています。
3. より多くの情報のために、ハイテクな光電子工学Co.、株式会社に連絡して下さい。
4. ESDの注意は単位を扱った場合取られなければなりません。
作動の考察
最高の評価の外のダイオード レーザーを作動させることは安全上の問題を示すか、または装置失敗を引き起こすかもしれません。さらに、余分なドライブ流れか切換えトランジェントはCWのダイオードのレーザーを傷つけることができます。最高のピーク光学力を超過しないで下さい。電源をつける前に、部品を電源に接続し、出力電圧価値がゼロであることを保障して下さい。部品が首尾よく接続された後、流れをゆっくり高め、出力電力そしてドライブ流れを監視し。装置低下は増加された温度と加速します;従って、場合温度を最小にすることへの細心の注意は助言されます。熱ラジエーターのダイオード レーザーのための適切な脱熱器はレーザーの生命を非常に高めます。