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gallium-nitride-wafer

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China 半導体ガリウム窒化物のウエファー、GaNの基質の型板N -タイプ2のインチ for sale

半導体ガリウム窒化物のウエファー、GaNの基質の型板N -タイプ2のインチ

2inch GaNの基質の型板、LeDのためのGaNのウエファー、ldのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、GaNの型板、mocvd GaNのウエファー、カスタマイズされたサイズによるGaNの支えがない基質、LEDのためのGaNの小型のウエファー、mocvdガリウム窒化物のウエファー10x10....
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China 4"ガリウム窒化物のウエファー for sale

4"ガリウム窒化物のウエファー

UVC LED EPIの基質はサファイアの2inch、4inchガリウム窒化物のAlNの型板のウエファーをかsicの基質層にする、 HVPEガリウム窒化物のウエファー、AlNの型板 III窒化物（GaN、AlNのイン） 禁止された帯域幅は（発光および吸収）紫外、可視ライトおよび赤......
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China レーザー装置のための結晶させたHVPE GaNガリウム窒化物のウエファー for sale

レーザー装置のための結晶させたHVPE GaNガリウム窒化物のウエファー

2inch支えがないGaNの基質、LDのためのGaNのウエファー、GaNの型板導かれるのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、10x10mm GaNの基質、GaNの天然ウエファー、 III窒化物（GaN、AlNのイン） 禁止された帯域幅は（発光および吸収）紫外、可視ライトおよび赤外......
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China Nのタイプ4inch Dia100mm自由な立つHVPE GaNガリウム窒化物のウエファー for sale

Nのタイプ4inch Dia100mm自由な立つHVPE GaNガリウム窒化物のウエファー

2inch支えがないGaNの基質、LDのためのGaNのウエファー、GaNの型板導かれるのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、10x10mm GaNの基質、GaNの天然ウエファー、 GaNの適用 GaNが装置の複数のタイプをするのに使用することができる;GaN第一次装置はLEDs、......
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China 4インチガナ-オン-シ・ウェーファー ガリウムナイトリド・ウェーファー エピ・ウェーファー 6インチ 8インチ 硬さ 9.0 モース 電力用 RF LED for sale

4インチガナ-オン-シ・ウェーファー ガリウムナイトリド・ウェーファー エピ・ウェーファー 6インチ 8インチ 硬さ 9.0 モース 電力用 RF LED

Si 化合物・ウェーファー,Si ウェーファー,シリコン・ウェーファー,化合物・ウェーファー,Si 基板上の GaN,シリコン・カービッド基板,4インチ,6インチ,8インチ,シリコン (Si) 基板上のガリウムナイトリド (GaN) 層 Si ワッフル上のGaNの特性 製造のために......
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China 2インチ ガリウム窒化物のウエファーのサファイアの型板のEpiのウエファー for sale

2インチ ガリウム窒化物のウエファーのサファイアの型板のEpiのウエファー

2inch 4inch 6inchのGaNサファイアの青は緑LEDのepiウエファーPSSのウエファーを導いた 2inch 4inchのuGaN/nGaN/pGaNサファイアの型板のepiウエファー GaN （ガリウム窒化物）のepiのウエファーの一流の製造業者そして製造者と......
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China 力マイクロLEDのための300mmガリウム窒化物のウエファーのGaNケイ素 for sale

力マイクロLEDのための300mmガリウム窒化物のウエファーのGaNケイ素

8インチ 12インチ 6インチ GAN-ON-SI EPI-WAFERS POWER RF マイクロLED アプリケーション 8インチ 100mm 150mm 200mm 300mm GAN-ON-SI EPI-WAFERS 電源適用のために GaNエピタキシアルウエファー (GaNEP......
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China エネルギー効率が良い照明のための高い発電の効率のGaNのウエファー ガリウム窒化物のウエファー for sale

エネルギー効率が良い照明のための高い発電の効率のGaNのウエファー ガリウム窒化物のウエファー

2inch HVPE方法ガリウム窒化物のGaNのウエファー、LEDのapplicaionのためのGaNの自由で永続的な基質、10x10mmのサイズのGaNの破片、HVPE GaNのウエファー GaNの特徴について導入して下さい 高速の、高温および高いパワー処理の機能のための高まる需要はma......
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China ガリウム窒化物のウエファーの半導体のGaNの自由で永続的な基質 for sale

ガリウム窒化物のウエファーの半導体のGaNの自由で永続的な基質

2inch HVPE方法ガリウム窒化物のGaNのウエファー、LEDのapplicaionのための地位のGaNの自由な基質、10x10mmのサイズのGaNの破片、HVPE GaNのウエファー GaNの支えがない基質のPINのウエファーGaN GaNの2inch 約特徴GaN GaNで導入しな......
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China Undoped半絶縁ガリウム窒化物のウエファーHVPEおよび型板のタイプ for sale

Undoped半絶縁ガリウム窒化物のウエファーHVPEおよび型板のタイプ

2inch HVPE方法ガリウム窒化物のGaNのウエファー、LDのためのGaNの自由で永続的な基質、10x10mmのサイズのGaNの破片、HVPE GaNのウエファー GaNの特徴について導入して下さい 高速の、高温および高いパワー処理の機能のための高まる需要は作......
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