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8 年
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2inch支えがないGaNの基質、LDのためのGaNのウエファー、GaNの型板導かれるのための半導体ガリウム窒化物のウエファー、10x10mm GaNの基質、GaNの天然ウエファー、
禁止された帯域幅は（発光および吸収）紫外、可視ライトおよび赤外線をカバーする。
GaNはLED表示、高エネルギー検出およびイメージ投射のような多くの地域で使用することができる
レーザーの投射の表示、力装置、等。
指定:
| 項目 | GaN FSN | |
| 次元 | Ф 50.8mmの± 1mm | |
| Marcoの欠陥密度 | レベル | ≤ 2つのcm-2 |
| Bのレベル | > 2つのcm-2 | |
| 厚さ | 300 ± 25のµm | |
| オリエンテーション | C軸線（0001）の± 0.5° | |
| オリエンテーションの平たい箱 | （1-100の） ± 0.5°の16.0の± 1.0mm | |
| 二次オリエンテーションの平たい箱 | （11-20の） ± 3°の8.0 ± 1.0mm | |
| TTV （総厚さの変化） | ≤15 µm | |
| 弓 | ≤20 µm | |
| 伝導のタイプ | Nタイプ | |
| 抵抗（300K） | < 0.5 Ω·cm | |
| 転位密度 | 5x106 cm-2よりより少し | |
| 使用可能な表面積 | > 90% | |
| ポーランド語 | 前部表面:RA < 0.2nm。Epi準備ができた磨かれた 背部表面:良い地面 | |
| パッケージ | 、単一のウエファーの容器で、窒素の大気の下でクラス100のクリーン ルームの環境で包まれる。 | |
2. 私達の企業の視野
私達は企業にGaNの良質の基質および適用技術を提供する。
良質のGaNmaterialはIII窒化物の塗布、例えば長い生命および安定性が高いLDs、高い発電および高い信頼性のマイクロウェーブ装置、高い明るさおよび高性能、省エネLEDのための抑制の要因である。
- FAQ –
Q:何兵站学および費用を供給できるか。
（1）私達はDHL、Federal Express、TNT、UPS、EMS、SFおよび等を受け入れる。
（2）あなた自身の明白な数があれば、大きい。
そうでなかったら、私達は渡すために助けることができる。Freight=USD25.0 （最初の重量） + USD12.0/kg
Q:受渡し時間は何であるか。
（1） 2inch 0.33mmのウエファーのような標準的なプロダクトのために。
目録のため:配達は順序の後に5仕事日である。
カスタマイズされたプロダクトのため:配達は順序の後に2か3週労働日数である。
Q:支払う方法か。
100%T/T、Paypal、西連合、MoneyGram、安全な支払および貿易保証。
Q:MOQは何であるか。
（1）目録のための、MOQは1pcsである。
（2）カスタマイズされたプロダクトのための、MOQは5pcs-10pcsである。
それは量および技術によって決まる。
Q:材料のための点検報告があるか。
私達はROHSのレポートを供給し、私達のプロダクトのためのレポートに達してもいい。