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SHANGHAI FAMOUS TRADE CO.,LTD
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ICのシリコンの薄片 (22)
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石英ガラスの版 (39)
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実験室のラッパー (33)
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SiC Substrate
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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究 ダミー グレード SIC エピタキシャル 基板
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[40]
サファイアのウエファー
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3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究 ダミー グレード SIC エピタキシャル 基板
製品の詳細
3' 4' 350um 500um SSP DSP 4H- 6H- 研究 ダミー グレード SIC エピタキシャル 基板 SICウエフルの特徴: ブロードバンドギャップシリコンカービッド半導体は,高電力電気機器の制御と切り替えに使用されます.それらは伝統的なシリコン装置に比べていくつかの利点を提供し...
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