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青緑のGaNの支えがない基質のマイクロ主導のepiのウエファーGaN GaNのB2inch
GaNの支えがない基質の青いHEMTのウエファーGaN GaNの2inch DSP SSP
約特徴GaN GaNで導入しなさい
縦のGaN力装置に材料の物理的性質によって600 V.の上のGaN縦の装置のような高圧条件の適用の力装置工業を、特に、革命化する潜在性があるGaN装置にある特定の絶縁破壊電圧で従来のケイ素 ベースの力装置および出現の純粋な炭化ケイ素力装置より低いオン抵抗がある。横のGaN力装置、すなわちGaNケイ素の高い移動性のトランジスター（HEMTs）は低電圧の市場のケイ素装置によって、競い、またGaNの文書の優越性を証明するGaNは優秀である。
縦のGaN力装置は高圧市場の純粋な炭化ケイ素力装置によって競うと期待される。最初の2年では、SiC装置は高圧適用市場のある特定の市場占有率を得、ある会社は6インチおよび8インチSiCの生産を拡大した。それに対して、GaN縦の装置はまだ商用化されていないし、非常に少数の製造者は直径4インチのGaNのウエファーを育てることができる。GaNの良質のウエファーの供給を増加することはGaN縦の装置の開発に重大である。
高圧力装置はガリウム窒化物の持っている3つの潜在的な利点を作った:
1。ある特定の絶縁破壊電圧の下で、理論的なオン抵抗はより小さい一桁である。従って、より少ない力は順方向にバイアスする失われ、エネルギー効率はより高い。
2番目に、ある特定の絶縁破壊電圧およびオン抵抗の下に、製造された装置のサイズはより小さい。より小さい装置サイズ、より多くの装置はコストを削減する単一のウエファーから作ることができる。さらに、ほとんどの適用はより小さい破片を要求する。
3.ガリウム窒化物に装置の最高の動作周波数で利点があり、頻度は物質的な特性および装置設計によって定められる。炭化ケイ素の最も高い頻度は1MHzまたはより少しについて力装置はMHzの10のようなより高い頻度でガリウム窒化物の、働くことができる作ったが、通常ある。より高い頻度の作動はそれにより力の転換システムのサイズ減らすために有利、重量およびコストを削減する受動の部品のサイズを、である。
GaN縦の装置は研究開発の段階にまだあり、企業はまだ最適のGaN縦力装置の構造の一致に達していない。3つの主流装置構造は現在の開きの縦の電子トランジスター（CAVET）、堀の電界効果トランジスタ（堀FET）およびひれの電界効果トランジスタ（ひれFET）を含んでいる。すべての装置構造は漂流の層として低いN添加された層を含んでいる。この層は漂流の層の厚さが装置の絶縁破壊電圧を定めるので非常に重要である。さらに、電子集中は理論的で最も低いオン抵抗の達成の役割を担う。重要な役割。
各等級の基質GaN GaNののための指定
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基質 |
支えがないNタイプの（Si添加された） GaN |
| 項目 | 青緑のマイクロ主導のepiのウエファーGaN GaNの2inch |
| 次元のサイズ | Ф 50.0mmの± 0.3mm |
| 基質の厚さ | 400 ± 30のµm |
| 基質のオリエンテーション | M軸線0.55± 0.15°の方のC軸線（0001） |
| ポーランド | SSPかDSP |
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| Epilyaerの構造 | SiNxの帽子GaN cap/Al （15~30%）なしGaN （で（17%））AlN Barrier/1nm AlNの中間膜/GaNによってChannel/C添加されるGaN |
| Epi thickness/STD | InAlN/2nmのu-GaNの帽子layer/0~30nm （3preferred）の罪の不動態化の層のAlGaN 4-10 （6preferred）のための2~4.5um GaNの緩衝layer/1nm AlN spacer/15-30nm （21nmは好んだ） |
| AFM RMS | <0> |
| キャリア密度 | 6E12~2E13; |
| ホール移動性 | 1300-2200 cm2V-1s-1; |
| 4um GaNのための側面BVF:C、Lgd=15um （力） | >600@1uA /mm; |
| Rs （ohm/Sq） | 200-450 |
| Particels （>20um） | <5pcs> |
| 使用可能な区域 |
P level>90%;R level>80%:Dlevel>70% （端およびマクロ欠陥の排除） |
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