広東省Huixinの電子工学の技術Co.、株式会社。

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低電圧Mosfet

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 低電圧Mosfet

低電圧Mosfetの携帯機器の使用SOT-23 PチャネルBC2301

SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BC2301 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET BC2301 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 TrenchFET力MOSFET 印:2301 適用 携帯機器のための負荷スイッチ DC/DCのコンバータ....
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MMBT7002W 60V 115mA Nチャネル信号MOSFET SC-70 SOT-323

小さい信号MOSFET 60V 115mAのN-Channel SC-70 SOT-323 これらの装置はPb−Free、Ultra−Smallの表面の台紙のパッケージ迎合的な、RoHS低い入出力漏出、速い切り替え速度、改善されたシステム効率である。 MMBT7002W......
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プラスチックNチャネルBC3400 350mW 5.8Aの低電圧Mosfet

SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BC3400 N-Channelの強化モード電界効果トランジスタ BC3400 SOT-23 Datasheet.pdf 特徴 極端に低いRDSのための高く密な細胞の設計()......
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0.35W Nチャネル0.22A BSS138分野のトランジスターMosfets

SOT-23はMOSFETSをプラスチック内部に閉じ込める BSS138 N-Channel 50-V (D-S) MOSFET
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BSS138K Nチャネル0.35W 0.22Aのケイ素力MOSFET

BSS138KのN-Channelの強化モード力MOSFET 特徴 1. VDS = 50VのID = 0.22A RDS () < 3=""> ESDの評価:HBM 2300V2.高い発電および現在の渡す機能3.無鉛プロダクトは得られる4.表面の台紙......
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険しく、信頼できる0.35W 0.22Aのケイ素の低電圧Mosfet BSS138K Nチャネル

BSS138KのN-Channelの強化モード力MOSFET 特徴 1. VDS = 50VのID = 0.22A RDS () < 3=""> ESDの評価:HBM 2300V 2.高い発電および現在の渡す機能 3.無鉛プロダクトは得られる 4.表面の台紙のパッケージ 絶対最高評価(通知がなけれ....
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