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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
深セン市和丰信科技有限公司
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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
シティ:
shenzhen
国/地域:
china
連絡窓口:
MrYangJiaHe
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バイアス抵抗トランジスタ
MMBZ27VCL-7 225MW 22V
メーカー: Diodes Incorporated製品カテゴリ: ESD保護ダイオード/TVSダイオード極性: 単方向チャンネル数: 2チャンネル動作電圧: 22 V終端タイプ: SMD/SMTクランプ電圧: 40 Vブレークダウン電圧: 25.65 Vパッケージ/ケース: SOT-23-3Ippピ...
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DMN2050L-7 MOSFET 1.4W 20V
メーカー: Diodes Incorporated 製品カテゴリ: MOSFET テクノロジー: si 実装タイプ: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 トランジスタ極性: Nチャネル チャンネル数: 1チャンネル Vds - ドレイン-ソース間耐圧: 20 V Id - 連続ド...
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DMN2058UW-7 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T and R 3K
メーカー: Diodes Incorporated 製品カテゴリ: MOSFET 実装スタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-323-3 トランジスタ極性: Nチャネル チャンネル数: 1チャンネル Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: 20 V Id......
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DMN2050L サブミニチュア管
メーカー: Diodes Incorporated 製品カテゴリ: MOSFET テクノロジー: si 実装タイプ: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 トランジスタ極性: Nチャネル チャンネル数: 1チャンネル 商標: Diodes Incorporated......
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AZ23C3V6-7-F 300mW 3.6V デュアル AEC-Q101 認定
メーカー: Diodes Incorporated 製品カテゴリ: ツェナーダイオード Vz-ツェナー電圧: 3.6 V 実装スタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 Pd-消費電力: 300mW 電圧許容差: 5% Ir-最大逆方向漏れ電流: 100 nA Zz-ツェナー...
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LESDA6V1W6T1G SC-88 TVS/ESD
静電気およびサージ保護カタログ (TVS/ESD) 極性単方向 逆阻止電圧 (Vrwm) 5V クランプ電圧 100V 属性パラメータ値 降伏電圧は6.1Vです 逆電流 (Ir) - タイプ TVS LESDA6V1W6T1G.PDF......
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LESDA6V1LT1G VBR=6.1V, unidirectional, VF=1.25V
静電気およびサージ保護(TVS/ESD)カタログ 極性単方向 逆阻止電圧(Vrwm)5.25V V クランプ電圧300V 属性パラメータ値 降伏電圧は6.1Vです 逆電流(Ir)20uA タイプESD LES......
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SI2308DS-T1-E3 1.45mm SOT-23-3
メーカー: Vishay 製品カテゴリ: MOSFET テクノロジー: si 実装タイプ: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 商標名: TrenchFET パッケージ: リール パッケージ: カットテープ 梱包: MouseReel ブランド: Vishay/......
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Si2308BDS-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
メーカー:Vishay 製品カテゴリ:MOSFET テクノロジー:si 実装タイプ:SMD/SMT パッケージ/ケース:SOT-23-3 トランジスタ極性:Nチャネル チャンネル数:1チャンネル Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧:60 V Id - 連続ドレイン電流:......
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DMP32D4S-7 MOSFET 30V Pチャネル エンハンスメント 2.4mOhm -10V -300mA
メーカー: Diodes Incorporated 製品カテゴリ: MOSFET テクノロジー: si 実装タイプ: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 トランジスタ極性: Pチャネル チャンネル数: 1チャンネル Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧:......
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