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バイポーラトランジスタ

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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

シティ：shenzhen

国/地域：china

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DMN2058UW-7 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T and R 3K

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モデル番号 :DMN2058UW-7

原産地 :米国

最低注文数量 :10

支払い条件 :T/T

納期 :5～8営業日

梱包の詳細 :SOT-23、レース

Vds - ドレイン・ソース間降伏電圧 :20V

終了タイプ :SMD/SMT

カプセル化 :リール、カットテープ、マウスリール

Id - 連続ドレイン電流 :3.5A

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製品の説明を表示

メーカー: Diodes Incorporated
製品カテゴリ: MOSFET
実装スタイル: SMD/SMT
パッケージ/ケース: SOT-323-3
トランジスタ極性: Nチャネル
チャンネル数: 1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: 20 V
Id - 連続ドレイン電流: 3.5 A
Rds(on) - ドレイン-ソース間オン抵抗: 42 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧: -12 V, +12 V
Vgs(th) - ゲート-ソース間しきい値電圧: 400 mV
Qg - ゲート電荷: 7.7 nC
最小動作温度: -55 °C
最大動作温度: +150 °C
Pd - 消費電力: 700 uW
チャンネルモード: エンハンスメント
パッケージ: リール
パッケージ: カットテープ
梱包: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
構成: シングル
降下時間: 3.3 ns
製品タイプ: MOSFET
立ち上がり時間: 4.9 ns
サブカテゴリ: トランジスタ
標準的なオフ遅延時間: 9.9 ns
標準的なオン遅延時間: 2 ns
単位重量: 6 mg

DMN2058UW-7.PDF

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