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メーカー：Vishay
製品カテゴリ：MOSFET
テクノロジー：si
実装タイプ：SMD/SMT
パッケージ/ケース：SOT-23-3
トランジスタ極性：Nチャネル
チャンネル数：1チャンネル
Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧：60 V
Id - 連続ドレイン電流：2.3 A
Rds(on) - ドレイン-ソース間オン抵抗：156 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧：-20 V、+20 V
Vgs(th) - ゲート-ソース間スレッショルド電圧：3 V
Qg - ゲート電荷：2.3 nC
最小動作温度：-55 °C
最大動作温度：+150 °C
Pd - 消費電力：1.66 W
チャンネルモード：エンハンスメント
商標名：TrenchFET
パッケージ：リール
パッケージ：カットテープ
梱包：MouseReel
商標：Vishay Semiconductors
構成：シングル
降下時間：7 ns
製品タイプ：MOSFET
立ち上がり時間：10 ns
シリーズ：SI2
サブカテゴリ：トランジスタ
トランジスタタイプ：1 Nチャネル
標準的なオフ遅延時間：10 ns
標準的なターンオン遅延時間：4 ns
部品番号エイリアス：SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-GE3-ge3
単位重量：8 mg
