製品
サプライヤー
Sign in
Register
Anterwell Technology Ltd.
Anterwellテクノロジー株式会社 IC電子部品の大規模なオリジナルの在庫、トランジスタ、ダイオードなど 高品質、リーズナブルな価格、高速配信。
Manufacturer from China
サイト会員
10 年
ホーム
製品カタログ
会社概要
品質管理
お問い合わせ
引用を要求
日本語
English
Français
Русский язык
Español
Português
集積回路の破片 (358)
プログラム可能な IC の破片 (153)
回路基板チップ (142)
整流器ダイオード (259)
力 電界効果トランジスタ のトランジスター (208)
3ピントランジスタ (126)
RJ45 イーサネット ジャック (13)
圧力センサIC (36)
電界効果トランジスタパワーモジュール (45)
SMDフェライトビーズ (51)
smd はダイオードを導きました (35)
SMD抵抗器 (27)
電子 IC チップ (226)
電子工学の部品 (100)
ホーム
/
製品
/
Electronics Components
/
AP4511GDの低い電力mosfet力MosfetのトランジスターNおよびPチャネルの強化モードはMOSFETに動力を与えます
/
show pictures
製品カテゴリ
集積回路の破片
[358]
プログラム可能な IC の破片
[153]
回路基板チップ
[142]
整流器ダイオード
[259]
力 電界効果トランジスタ のトランジスター
[208]
3ピントランジスタ
[126]
RJ45 イーサネット ジャック
[13]
圧力センサIC
[36]
電界効果トランジスタパワーモジュール
[45]
SMDフェライトビーズ
[51]
smd はダイオードを導きました
[35]
SMD抵抗器
[27]
電子 IC チップ
[226]
電子工学の部品
[100]
企業との接触
Anterwell Technology Ltd.
シティ：
shenzhen
省/州：
guangdong
国/地域：
china
連絡窓口：
MissSharon Yang
表示連絡先の詳細
企業との接触
AP4511GDの低い電力mosfet力MosfetのトランジスターNおよびPチャネルの強化モードはMOSFETに動力を与えます
製品の詳細
NおよびPチャネルの強化モード力MOSFET ▼の低いゲート充満 ▼の速い切り替え速度 ▼ PDIP-8のパッケージ N-CH BVDSS 35V RDS（） 25mΩ ID 7A P-CH BVDSS -35V RDS（） 40mΩ ID -6.1A 記述 APECからの高度力のMOSFETsは...
製品詳細図 →
商品のタグ：
イドモスの電源トランジスタ
パワー IDMOS トランジスタ
n チャンネル パワー モスフェット
