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トランジスタ tip41c

1 - 20 の結果 トランジスタ tip41c から 412 製品

プロダクト細部 包装 大きさ 部分の状態時代遅れ トランジスター タイプNPN 現在-コレクター((最高) IC)6A 電圧-コレクターのエミッターの故障(最高)100V Vceの飽和(最高) @ Ib、IC1.5V @ 600mA、6A 現在-コレクターの締切り(最高)700µA DCの現在の利.......

Time : Dec,02,2024
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単一のトランジスター両極NPN 100V 65W 6A両極トランジスターTIP41C プロダクト 記述: 、NPN両極、1.TIP41C単一のトランジスター100ボルト、65 W、6 Aの75 hFE2. TIP41CのNPNのトランジスター、6 A、Vce=100 V、HFE:15のパッケージ........

Time : Nov,24,2024
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スイッチのためのTIP42C PNP 100V 6A TO-220力トランジスターMOSFETのトランジスターは巡回します TIP41C TIP42C 記述 この装置を線形音声、力および切換えの適用のために適したようにするTIP41CはTO-220プラスチック パッケー.........

Time : Jun,12,2024
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TIP41A/41B/41C TIP42A/42C 補足のケイ素力トランジスター ■補足PNP - NPN装置 記述 TIP41A、TIP41BおよびTIP41CはJedec TO-220のプラスチック パッケージに取付けられるケイ素のエピタキシアル基盤NPN力トランジスタ.........

Time : Dec,01,2024
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統合回路IC オリジナルと新品,TIP41C TO-220アンプトランジスタ CJ/Changdian オリジナル本物 [Wh はo - そうか?] シェンzhen QINGFENGYUAN Technology Co., Ltd 2013年に設立され,アナログ,デジタル,RF統合回路.........

Time : Apr,21,2025
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TIP42C NPN PNPのトランジスター両極(BJT)トランジスターPNP 100V 6A 65W 特徴 ■補足PNP-NPNの装置 ■の新しい高められたシリーズ ■の高い切り替え速度 ■のhFEの分かれること ■のhFEによって改善される直線性 適用 ■の一般目的回路 ■のオーディオ・アンプ ......

Time : Nov,20,2020
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TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P 相補型NPN-PNPトランジスタバイポーラディスクリート半導体製品 相補型パワートランジスタ 説明: デバイスは、「ベースアイランド」レイアウトの平面技術で製造されています。結果として得ら.........

Time : Nov,26,2024
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製品の説明 TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P 補足NPN - PNPのトランジスター両極分離した半導体製品 補足力トランジスター 記述: 装置は「基礎島」のレイアウトとの平面の技術で製造される。非常に低い飽和電圧とつながれる生.........

Time : Dec,09,2024
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TO-220-3Lはトランジスターをプラスチック内部に閉じ込めます TIP41/41A/41B/41Cのトランジスター(NPN) 特徴 中型力の線形切換えの適用 最高の評価(通知がなければTa =25℃) 記号 変数.........

Time : May,30,2024
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TIP41C 統合回路 (IC) 埋め込み マイクロコントローラー [誰が 私たちは? 1電子コンポーネントの販売業者は10年以上,OEMチャンネル +MFGチャンネルからの直接注文です. 2顧客にグローバルでサービスを提供するために 独自の8000以上の 異なる部品のストック.........

Time : Jun,08,2025
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STD12N10L MOSFETのトランジスターとの強力な性能を得なさいSTD12N10L MOSFETのトランジスターの使用の賛否両論 あなたの電子デバイスからの強力な性能のシーカーとして、多分STD12N10L MOSFETのトランジスターに出くわした。これらのトランジスター部品は並ぶも.........

Time : Nov,30,2024
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ONSEMI TIP31CG 3A 100V 40W NPNトランジスタ TIP31C NPNタイプトランジスタ TIP31C トランジスタTO-220-3 3AMPER パワートランジスタ 補完シリコン 40−60−80−100VOLTS, 40WATTS 特徴 • 高電流増幅 − 帯域幅製品........

Time : Dec,07,2024
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MJE3055T TO-220の補足のケイ素のプラスチック力トランジスター 記述 10アンペア補足のケイ素力トランジスター− 60ボルトの75ワット 能力をの扱う力に2つの限定があるトランジスター:平均接合部温度および第2故障。安全運転区域のカーブはICの− VCEを.........

Time : Nov,30,2024
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IGBTの超高速の柔らかい回復ダイオードが付いているトランジスターによって絶縁されるゲートの両極トランジスター 製品の説明: 良質および一般目的絶縁されたゲートの両極トランジスター– 絶縁されたゲートの両極トランジスター(IGBT)は運動制御、力転換および他の産業適用のようないろいろな適用で.........

Time : Dec,09,2024
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BS816A-1 Pチャネル強化モード DMOSトランジスタ RFトランジスタ 製造者: ダイオード 製品カテゴリー: Pチャネル強化 RoHS について 詳細 マウントスタイル: - パッケージ/ケース: 16NSOP パッケージ: スタンダード 単位重量: - オ.........

Time : Apr,20,2025
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新しい元のSAK-TC397XX-256F300S BD BGA-29 ICの破片の集積回路SAK-TC397XXの電子部品、トランジスター 私達はちょうど私達に知らせなさいもしこれらの項目のうちのどれかがあなたに興味なら、新しい及び元の項目を提供する。私達は私達の最もよい価格引用する.........

Time : Nov,28,2024
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Time : Sep,17,2023
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機械を形作る自動管でいっぱいのトランジスター鉛の切断 イントロ: RS-909Bは管でいっぱいのトランジスター鉛の形成のため特にです。任意送り装置ボールは緩いトランジスターを形作るために働きます。私達は顧客の予算によって機械を形作るトランジスター鉛の異なったモデルを提供します。.........

Time : Aug,22,2024
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RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W 増幅器アプリケーション向け RD06HVF1の説明 RD06HVF1 は、VHF RF パワーアンプ アプリケーション向けに特別に設計された MOS FET タイプのトランジスタです。 ......

Time : Nov,03,2023
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