シンセン華Xuanヤンの電子工学Co.、株式会社

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TIP41/41A/41B/41C NPNの高速スイッチング・トランジスタの高性能

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シティ:shenzhen
省/州:guangdong
国/地域:china
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TIP41/41A/41B/41C NPNの高速スイッチング・トランジスタの高性能

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原産地 :深セン中国
最低順序量 :1000-2000 PC
包装の細部 :囲まれる
受渡し時間 :1 - 2 週
支払の言葉 :L/C T/Tウェスタン・ユニオン
供給の能力 :1日あたりの18,000,000PCS/
型式番号 :TIP41/41A/41B/41C
プロダクト ID :TIP41/41A/41B/41C
タイプ :半導体の三極管
力 Mosfet のトランジスター :内部に閉じ込められるTO-220-3Lのプラスチック
フィーチャー :中型力の線形切換えの適用
コレクターの電力損失 :2w
エミッター基盤の電圧 :5Vの
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TO-220-3Lはトランジスターをプラスチック内部に閉じ込めます

 

TIP41/41A/41B/41Cのトランジスター(NPN)

 

 

特徴
 
中型力の線形切換えの適用
 
 

 

最高の評価(通知がなければTa =25℃)

記号 変数 TIP41 TIP41A TIP41B TIP41C 単位
VCBO コレクター基盤の電圧 40 60 80 100 V
VCEO コレクター エミッターの電圧 40 60 80 100 V
VEBO エミッター基盤の電圧 5 V
IC 連続的なコレクター流れ- 6 A
PC コレクターの電力損失 2 W
TJ 接合部温度 150
Tstg 保管温度の範囲 -55~+150

 

 

 

電気特徴(Ta=25℃他に特に規定がなければ)

変数 記号 テスト条件 最高 単位

コレクター基盤の絶縁破壊電圧TIP41

TIP4 1A

TIP41B TIP41C

 

 

V (BR) CBO

 

 

IC= 1mA、すなわち=0

40

60

80

100

 

 

 

V

コレクター エミッターの絶縁破壊電圧TIP41

TIP41A

TIP41B TIP41C

 

 

VCEO (SU)

 

 

IC= 30mA、IB=0

40

60

80

100

 

 

 

V

エミッター基盤の絶縁破壊電圧 V (BR) EBO すなわち= 1mA、IC=0 5   V

コレクタ遮断電流TIP41 TIP4 1A TIP41B

TIP41C

 

 

ICBO

VCB=40V、すなわち=0 VCB=60V、すなわち=0 VCB=80V、すなわち=0 VCB=100V、すなわち=0

 

0.4

 

 

mA

 

コレクタ遮断電流TIP41/41A TIP41B/41C

 

ICEO

VCE= 30V、IB= 0ボルトCE= 60V、IB= 0

 

0.7

 

 

mA

エミッターの締切りの流れ IEBO VEB=5V、IC=0   1 mA

 

DCの現在の利益

hFE (1) VCE= 4V、IC= 0.3A 30    
  hFE (2) VCE=4 V、IC= 3A 15 75  
コレクター エミッターの飽和電圧 VCE (坐る) IC=6A、IB=0.6A   1.5 V
基盤エミッターの電圧 VBE () VCE= 4V、IC=6A   2 V

 

転移の頻度

 

fT

VCE=10V、IC=0.5A

f =1MHz

 

3

 

 

MHZ

 

 

 

典型的なCharacterisitics

 

TIP41/41A/41B/41C

 

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