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トランジスタの電源増幅器ボード

1 - 20 の結果 トランジスタの電源増幅器ボード から 818 製品

2SC5200/FJL4315 NPNのエピタキシアル ケイ素のトランジスター 適用 •ハイ ファイの音声出力のアンプ •一般目的の電力増幅器 特徴 •高い現在の機能:IC = 15A。 •高い発電の消滅:150watts. •高周波:30MHz. •高圧:VCEO=230V.........

Time : May,30,2024
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ケイ素PNP力トランジスター2SA1943 記述 ·TO-3PLのパッケージを使って ·2SC5200をタイプする補足物 適用 ·電力増幅器の塗布 ·ハイ ファイ100Wのために推薦される 低周波のアンプの出力段階 ピンで止めること.........

Time : Dec,01,2024
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製品パラメータ 製造者:スタンダードパッケージ:トューブ製品カテゴリー:MOSFETブランド:標準RoHS について詳細構成:シングルテクノロジーそうだ秋の時間77 nsマウントスタイル:穴を抜ける高さ:16.3mmパッケージ/ケース:TO-220-3長さ:10.67mmトランジスタの偏性:N.........

Time : May,31,2024
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連絡 ください 製品説明 シングルチャネルアンプボードのアップグレード版 1943+5200 高功率東芝トランジスタ 後部ステージアンプボードボードは,二重チャンネルを必要とする単チャンネルの後部アンプボードです円盤の設計は,A970/C2240高電圧オーディオペアダブルディファレンシャル回路.........

Time : Apr,11,2025
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東芝力トランジスター(MA-4400)が付いている3U 4 X 400W ABのクラスの電力増幅器 速い細部: Atopt大きい東芝のトランジスター、非常に完全な音 有効な冷却装置は、電力増幅器の安定性を保障します 古典的なプロダクト、良質 MAシリーズ電力増幅器 驚くべき性.........

Time : May,30,2024
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RD06HVF1 RF POWER MOSFET Silicon Transistor 175MHz 6W 増幅器アプリケーション向け RD06HVF1の説明 RD06HVF1 は、VHF RF パワーアンプ アプリケーション向けに特別に設計された MOS FET タイプのトランジスタです。 ......

Time : Nov,03,2023
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2SC5171東芝のトランジスター ケイ素NPNのエピタキシアル タイプ電力増幅器の塗布 特徴 •高い転移の頻度:fT = 200のMHz (タイプ。) •2SA1930に補足 電気特徴(Tc = 25°C).........

Time : Dec,04,2024
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2 X 1200WプロパワーアンプからT12 黒 クラスA 記述 1バイアス:A級アンプの出力トランジスタまたはチューブは,入力信号がないときでも常に導電しているようにバイアスしている.入力信号を増幅するために常に準備ができていることを保証. 2線形性:A級アンプは優れた線形性で知られて.........

Time : Dec,09,2024
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2SC2690:音声および無線周波数の電力増幅器NECの一般目的のトランジスターの使用 記述2SC2690、2SC2690Aは一般目的のトランジスターである 音声および無線周波数の電力増幅器の使用のために設計されている。 特徴●50に100 Wの運転者段階の使用の.........

Time : May,30,2024
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実際の銅脱熱器との4チャネル切替えの電力増幅器4x650W FP 6000Q 速い細部: 4チャネル スイッチ モード アンプ、4x650W @ 8Ωのよい音質、安定性が高い、アルミニウム脱熱器、NOVERの電力コンデンサ、SK力トランジスター、NEUTRIKのコネクター、あらゆるパッキング カート......

Time : Apr,28,2017
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パワー増幅器 100W出力 SZHUASHI 5GHz-6GHz 12.3dB 無線通信インフラストラクチャとEMCテスト用 製品説明 YP506012100Tは,高効率,高加益,広い帯域幅を備えた特異的に設計された100ワット,内部にマッチされたガリウムナイトリド (GaN) 高電子移動ト.........

Time : May,19,2025
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2.7GHzへの優秀なTheramalの安定性Rfの電力増幅器のトランジスターLDMOS FET 28V HF...

Time : Sep,11,2023
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FANUC 一般電気 パワー増幅カード IC3600APAB1 4つの小さな円形トランジスタ 詳細 部分IC3600APAB1メーカー:ジェネラル・エレクトリック記述:パワーアンプカード入手可能:データシートと詳細の情報を要求します. GE Fanuc IC3600APAB1につ.........

Time : Dec,03,2024
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高い発電NPNのエピタキシアル平面の両極トランジスターd1047 b817 製品の説明 記述装置は新しいビットLA (線形アンプのための両極トランジスター)の技術を使用して製造されたNPNのトランジスターである。生じるトランジスターよい利益直線性の行動を示す。 特徴- 高い絶縁破壊電圧VCEO =.......

Time : Dec,02,2024
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製品説明: 超帯1000-2000MHz 47dBm ゲイン RF パワーアンプ モジュールは,様々な信号源アプリケーションの要求に応えるように設計されています.複数の周波数帯をサポートする1000MHz以上帯域幅 このアンプは高電源トランジスタ回路を搭載し 最大出力50Wを供給し プロジェ.........

Time : May,20,2025
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LMH6643 LMH6643MA LMH6643MAX SOP-8 ICの破片LMH6643MM LMH6643QMMを出荷するために用意しなさい LMH664xの低い電力、130のMHzの75のmAの柵に柵の出力アンプ LMH6642、LMH6643、LMH6644 適用 •活動的.........

Time : May,30,2024
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